March1996
NDS356P
p沟道逻辑 水平 增强功能 模式 字段 效果 晶体管
概述 描述 特点
_______________________________________________________________________________
绝对 最大值 额定值
t
一个
= 25°c 除非 否则 已注明
符号 参数 NDS356P 单位
v
DSS
漏源 电压 -20 v
v
GSS
栅极-源极 电压- 连续 ± 12 v
我
d
最大值 排水管 电流 - 连续(备注 1a) ±1.1 一个
- 脉冲 ±10
p
d
最大值 电源 耗散(备注 1a) 0.5 w
(备注 1b)
0.46
t
j
,t
stg
操作 和 存储 温度 范围 -55 至 150 °C
热 特性
右
θ
ja
热 电阻, 交叉点到环境
(备注 1a)
250 °c/w
右
θ
jc
热 电阻, 连接至壳体(备注 1) 75 °c/w
nds356p rev. e1
这些 p沟道 逻辑 水平 增强功能 模式 电源
字段 效果 晶体管 是 生产 使用 仙童's
专有, 高 细胞 密度, dmos 技术. 这个
很 高 密度 流程 是 尤其是 量身定制 至
最小化 开启状态 电阻.这些 设备 是
特别是 适合 用于 低 电压 应用程序 这样的 作为
笔记本 计算机 电源 管理, 便携式
电子产品, 和 其他 蓄电池 通电 电路 在哪里
快 高侧 开关, 和 低 在线 电源 损失是
需要 入点 一个 很 小 大纲 表面 安装 包装.
-1.1一个, -20v. 右
ds(开启)
= 0.3
Ω
@ v
gs
= -4.5v.
专有 包装 设计 使用 铜 铅 框架 用于
上级 热 和 电气 能力.
高 密度 细胞 设计用于 极其 低 右
ds(开启)
.
例外 导通电阻 和 最大值 直流 电流
能力.
紧凑型 行业 标准 sot-23 表面 安装
包装.
d
s
g
© 1997 仙童 半导体 公司
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