>┊
首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号: 
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:513834
 
资料名称:NDS9936
 
文件大小: 343.83K
   
说明
 
介绍:
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


: 点此下载
 
1
浏览型号NDS9936的Datasheet PDF文件第2页
2
浏览型号NDS9936的Datasheet PDF文件第3页
3
浏览型号NDS9936的Datasheet PDF文件第4页
4
浏览型号NDS9936的Datasheet PDF文件第5页
5
浏览型号NDS9936的Datasheet PDF文件第6页
6
浏览型号NDS9936的Datasheet PDF文件第7页
7
浏览型号NDS9936的Datasheet PDF文件第8页
8
浏览型号NDS9936的Datasheet PDF文件第9页
9
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
二月1996
NDS9936
双 n通道增强功能 模式 字段 效果 晶体管
概述 描述 特点
________________________________________________________________________________
绝对 最大值 额定值
t
一个
= 25°c 除非 否则 已注明
符号 参数 NDS9936 单位
v
DSS
漏源 电压 30 v
v
GSS
栅极-源极 电压 ± 20 v
d
排水管 电流 - 连续 @ t
一个
= 25°c(备注 1a)
±5.0 一个
- 连续 @ t
一个
= 70°c(备注 1a)
±4.0
- 脉冲@ t
一个
= 25°C ±40
p
d
电源 耗散 用于 双 操作 2 w
电源 耗散用于 单独 操作(备注 1a) 1.6
(备注 1b) 1
(备注 1c) 0.9
t
j
,t
stg
操作 和 存储 温度 范围 -55 至 150 °C
热 特性
θ
ja
热 电阻, 交叉点到环境(备注 1a) 78 °c/w
θ
jc
热 电阻, 连接至壳体(备注 1) 40 °c/w
nds9936.山姆
5一个, 30v. 右
ds(开启)
= 0.05
@ v
gs
= 10v.
高 密度 细胞 设计用于 极其 低 右
ds(开启)
.
高 电源 和 电流 搬运 能力 入点 一个 广泛 已使用
表面 安装 包装.
双 场效应晶体管 入点 表面 安装 包装.
这些 n通道 增强功能 模式 电源 字段 效果
晶体管 是 生产 使用 仙童's 专有, 高 细胞
密度, dmos 技术. 这个 很 高 密度 流程 是
尤其是 量身定制 至 最小化 开启状态 电阻 和 提供
上级 开关 业绩. 这些 设备 是 特别是
适合 用于 低 电压 应用程序 这样的 作为 直流/直流 换算,
磁盘 驱动器 电机 控制, 和 其他 蓄电池 通电 电路
在哪里 快 开关, 低 在线 电源 损失, 和 电阻 至
瞬变 是 需要.
1
5
6
7
8
4
3
2
© 1997 仙童 半导体 公司
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com