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1996
初步 数据 sheet
gaas mes 场效应晶体管
ne85001 系列
1 w c-乐队 电源 gaas 场效应晶体管
n通道 gaas mes 场效应晶体管
文件 否. p10968ej1v0ds00 (1st 版本)
日期 已发布 六月 1996 p
已打印 入点 日本
描述
这 ne8500199 电源 gaas 场效应晶体管 盖子 2 ghz 至 10 ghz 频率 范围 用于 商业 放大器, 振荡器
应用程序 和 所以 开启.
ne8500100 是 这 两个-细胞 凹进去的 闸门 芯片 已使用 入点 ‘99’ 包装.
这 设备 包含 ti-铝 闸门 和 硅 dioxide 玻璃钝化. 至 减少 这 热 电阻, 这 设备
有 一个 phs. (电镀 热量 水槽)
nec’s strigent 质量 保证 和 测试一下 程序 保证 这 最高 可靠性 和 业绩.
特点
• 类 一个 操作
• 高 电源 输出
• 高 可靠性
选择 图表
业绩 指定
零件 号码 窗体
pout (
**
)g
l
(
**
) 可用
(dbm) (db) 频率
(ghz)
ne8500100(*) 芯片 28.5 最小 9.0 典型值 2.0 至 10
ne8500100-wb
ne8500100-rg
NE8500199 包装 28.5 最小 9.0 典型值 2.0 至 10
*
wb, rg 指示 一个 类型 的 集装箱 用于 芯片.
wb: 黑色 承运人, rg: 戒指,: gel-pack,
**
指定 在 这 条件 在 这 最后一个 第页.
物理 尺寸
ne8500100 (芯片) (单位:
µ
m)
包装 代码-99 (单位: mm)
4.0 最小 两者都有 leads
SOURCE
GATE
DRAIN
0.6 ±0.1
5.2 ±0.3
6.0 ±0.2
11.0 ±0.3
15.0 ±0.3
0.1
1.2
0.2 最大值.
1.0 ±0.1
2.2 ±0.3
2 places
φ
4.3 ±0.2
1.7 ±0.15
4.0
5.0 最大值.
780
640
170
100
146
100
65
100
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