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资料编号:514113
 
资料名称:NE52118-T1
 
文件大小: 63.89K
   
说明
 
介绍:
L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER NPN GaAs HBT
 
 


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gaas heterojunction 双极性 晶体管
NE52118
l 至 s 乐队 低 噪声 放大器
npn gaas hbt
文件 否. p14544ej1v0ds00 (1st 版本)
日期 已发布 十一月 1999 n cp(k)
已打印 入点 日本
初步 数据 工作表
1999©
特点
用于 低 噪声 &放大器; 高 增益 放大器
nf = 1.0 db 典型值 g
一个
= 15.0 db 典型值 msg = 15.0 db 典型值 (@f = 2 ghz, v
ce
= 2 v, 我
c
= 3 ma, z
s
= z
l
= 50
)
OIP
3
= 15 dbm 典型值 (@f = 2 ghz, v
ce
= 2 v, 我
c
= 3 ma, z
s
= z
l
= 50
)
4-管脚 超级 minimold 包装
接地 发射器 晶体管
订购 信息 (计划)
零件 号码 包装 标记 供应 窗体
ne52118-t1 4-管脚 超级 minimold V41 压花 胶带 8 mm 宽.
管脚 3, 管脚 4 面部 至 perforation 侧面 的 这 胶带.
数量 3 kp/卷轴.
Remark
至 订单 评价 样品, 请 联系人 你的 本地 nec 销售 办公室.
(零件 号码 用于 样品 订单: ne52118)
绝对 最大值 额定值 (t
一个
收集器 至 发射器 电压 v
CEO
5.0 v
收集器 至 底座 电压 v
CBO
3.0 v
发射器 至 底座 电压 v
EBO
3.0 v
收集器 电流
c
7mA
底座 电流
B
0.3 ma
合计 电源 耗散 p
tot
30 mW
接合点 温度 t
j
+125 °C
存储 温度 t
stg
–65 至 +125 °C
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