3.5 v 操作 硅
rf 电源 场效应晶体管 用于 1.9 ghz
变速器 放大器
加利福尼亚 东部的 实验室
特点
• 高 输出 电源:
29.5 dbm 典型值
v
ds
= 3.5 v, 我
DQ
= 200 ma, f = 1.9 ghz, p
入点
= 22 dbm
• 高 线性 增益:
11 db 典型值
v
ds
= 3.5 v, 我
DQ
= 200 ma, f = 1.9 ghz, p
入点
= 5dbm
• 高 电源 已添加 效率:
50% 典型值
v
ds
= 3.5 v, 我
DQ
= 200 ma, f = 1.9 ghz, p
入点
= 22 dbm
• 单独 供应:
2.8 至 6.0 v
• 表面 安装 包装:
5.7
x
5.7
x
1.1 mm 最大值
NE5510179A
大纲 尺寸
(单位 入点 mm)
包装 大纲 79a
初步 数据 工作表
电气 特性
(t
一个
= 25
°
c)
零件 号码 NE5510179A
包装 大纲 79A
符号 特性 单位 最小 典型值 最大值 测试一下 条件
我
GSS
栅极到源极 泄漏 电流 不适用 100 v
GSS
= 6.0 v
我
DSS
漏源 泄漏 电流 不适用 100 v
DSS
= 8.5 v
v
th
闸门 阈值 电压 v 1.0 1.35 2.0 v
ds
= 3.5 v, 我
ds
=
1 ma
通用汽车 跨导 s 0.82 v
ds
= 3.5 v, 我
DS1
=
300 ma, 我
DS2
=
500 ma
右
ds (开启)
漏源 开启 电阻 0.5 v
gs
= 6.0 v, v
ds
=
0.5 v
BV
DSS
漏源 击穿 电压 v 20 24 我
DSS
= 10 一个
描述
这 ne5510179a 是 一个 n通道 硅 电源 场效应晶体管
特别 设计 作为 这 变速器 驾驶员 放大器 用于 3.5
v gsm1800 和 gsm 1900 手持设备. 模具 是 已制造
使用 nec's newmos 技术 (nec's 0.6
µ
m wsi 闸门
横向 场效应晶体管) 和 已安置 入点 一个 表面 安装 包装.
这个 设备 可以 交付 29.5 dbm 输出 电源 与 50% 电源
已添加 效率 在 1.9 ghz 下 这 3.5 v 供应 电压,
或 可以 交付 29 dbm 输出 电源 在 2.8 v 由 变化 这
闸门 电压 作为 一个 电源 控制 功能.
• 数字 细胞 电话:
3.5 v gsm 1800/gsm 1900 类 1 手持设备
• 其他:
1.6 - 2.0 ghz tdma 应用程序
应用程序
8
x
来源
闸门
排水管
4.2 最大值
5.7 最大值
4.4 最大值
0.8 – 0.15
0.6 – 0.15
5.7 最大值
0.4 – 0.15
来源
闸门
排水管
1.2 最大值
1.0 最大值
3.6 – 0.2
0.8 最大值
0.9 – 0.2
0.2 – 0.1
1.5 – 0.2
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