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资料编号:514254
 
资料名称:NE5510279A-T1
 
文件大小: 39.5K
   
说明
 
介绍:
3.5V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR GSM1800 TRANSMISSION AMPLIFIERS
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
3.5 v 操作 硅 rf
电源 场效应晶体管 用于 gsm1800
变速器 放大器
加利福尼亚 东部的 实验室
特点
高 输出 电源:
32 dbm 典型值 在 v
ds
= 3.5 v, 我
DQ
= 400 ma,
f = 1.8 ghz, p
入点
= 25 dbm
高 电源 已添加 效率:
45% 典型值 在 v
ds
= 3.5 v, 我
DQ
= 400 ma,
f = 1.8 ghz, p
入点
= 25 dbm
10 db 典型值 在 v
ds
= 3.5 v, 我
DQ
= 400 ma,
f = 1.8 ghz, p
入点
= 10 dbm
表面 安装 包装:
5.7
x
5.7
x
1.1 mm 最大值
单独 供应:
2.8 至 6.0 v
NE5510279A
描述
这 ne5510279a 是 一个 n通道 硅 电源 场效应晶体管
特别 设计 作为 这 变速器 电源 放大器 用于
3.5 v gsm1800 手持设备. 模具 是 已制造 使用 nec's
newmos 技术 (nec's 0.6
µ
m wsi 闸门 横向
场效应晶体管) 和 已安置 入点 一个 表面 安装 包装. 这个 de-
副 可以 交付 32 dbm 输出 电源 与 45% 电源 已添加
效率 在 1.8 ghz 下 这 3.5 v 供应 电压, 或 可以
交付 31 dbm 输出 电源 在 2.8 v 由 变化 这 闸门
电压 作为 一个 电源 控制 功能.
大纲 尺寸
(单位 入点 mm)
包装 大纲 79a
数字 细胞 电话
其他
应用程序
电气 特性
(t
一个
= 25
°
c)
零件 号码 NE5510279A
包装 大纲 79A
符号 特性 单位 最小 典型值 最大值 测试一下 条件
GSS
闸门 至 来源 泄漏 电流 不适用 - - 100 v
GSS
= 6.0 v
DSS
排水管 至 来源 泄漏 电流 不适用 - - 100 v
DSS
= 8.5 v
v
th
闸门 阈值 电压 v 1.0 1.35 2.0 v
ds
= 4.8 v, 我
ds
= 1 ma
通用汽车 跨导 s - 1.50 - v
ds
= 4.8 v, 我
ds
1 = 500 ma, 我
ds
2 = 700 ma
ds(开启)
排水管 至 来源 开启 电阻 - - 0.27 - v
gs
= 6.0 v, v
ds
= 0.5 v
BV
DSS
排水管 至 来源 击穿 电压 v 20 24 -
DSS
= 10 一个
来源
闸门
排水管
4.2 最大值
5.7 最大值
4.4 最大值
0.8
±
0.15
0.6
±
0.15
5.7 最大值
0.4
±
0.15
来源
闸门
排水管
1.2 最大值
1.0 最大值
3.6
±
0.2
0.8 最大值
0.9
±
0.2
0.2
±
0.1
1.5
±
0.2
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