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资料编号:514269
 
资料名称:NE5520279A
 
文件大小: 166.31K
   
说明
 
介绍:
NECS 3.2 V, 2 W, L&S BAND MEDIUM POWER SILICON LD-MOSFET
 
 


: 点此下载
 
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
nec'
s
3.2 v, 2 w, l&放大器;s 乐队
中 电源 硅 ld-场效应晶体管
特点
低 成本 塑料 表面 安装 包装:
5.7
x
5.7
x
1.1 mm 最大值
高 输出 电源:
+32 dbm 典型值
高 线性 增益:
10 db 典型值 @ 1.8 ghz
高 电源 已添加 效率:
45% 典型值 在 1.8 ghz
单独 供应:
2.8 至 6.0 v
NE5520279A
大纲 尺寸
(单位 入点 mm)
包装 大纲 79a
备注:
1.
直流 业绩 是 100% 测试. rf 业绩 是 测试 几个 样品 按 晶圆.
晶圆 拒收 标准 用于 标准 设备 是 1 拒绝 用于 几个 样品.
2.
p
入点
= 5 dbm
描述
nec's ne5520279a 是 一个 n通道 硅 电源 laterally
dif 熔断 场效应晶体管 spe 社会 ly 设计 作为 这 电源 ampli
Þ
er
用于 移动电话 和
Þ
xed 无线 应用程序. 模具 是 男人 u -
fac 已拍摄 美国 ing nec's newmos 技术 nol o gy (nec's 0.6
µ
m
wsi 闸门 lat er 铝 场效应晶体管) 和 已安置 入点 一个 表面 安装
空调组件 年龄.
数字 细胞 电话:
3.2 v dcs1800 手持设备
0.7-2.5 ghz 固定 无线 访问权限
• w-局域网
短 范围 无线
retail busi ness 收音机
特殊 移动电话 收音机
应用程序
加利福尼亚 东部的 实验室
0.9±0.2
0.2±0.1
(底部 查看)
3.6±0.2
1.5±0.2
0.8 最大值
1.0 最大值
来源
闸门
Drai
n
0.4±0.15
5.7 最大值
5.7 最大值
0.6±0.15
0.8±0.15
4.4 最大值
4.2 最大值
来源
闸门
排水管
一个 2
0X001
电气 特性
(t
一个
= 25°c)
零件 号码 NE5520279A
包装 大纲 79A
符号 特性 单位 最小 典型值最大值 测试一下 条件
p
出点
输出 电源 dBm 30.5 32.0
g
l
lin 耳朵 增益db 10
η
添加
power 已添加 ef
Þ
科学 % 4045
d
排水管 电流 ma 800
GSS
栅极到源极 泄漏 电流不适用100 v
gs
= 5.0 v
DSS
饱和 排水管 电流 不适用100 v
ds
= 6.0 v
(零 闸门 电压 年龄 排水管 电流)
v
th
闸门 阈值 电压v 1.0 1.4 1.9v
ds
= 3.5 v, 我
ds =
1 ma
g
m
跨导s 1.3v
ds
= 3.5 v, 我
ds =
700 ma
BV
DSS
漏源 击穿 电压v 1518
DSS
= 10
µ
一个
th
热 电阻
°
c/w8 频道-至-案例
功能
特性
电气 直流
特性
f = 1.8 ghz, v
ds
= 3.2 v,
DSQ
= 700 ma, p
入点
= 25 dbm, 除了
p
入点
= 5 dbm 用于 线性 增益
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