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资料编号:514272
 
资料名称:NE5520379A-T1A-A
 
文件大小: 390.12K
   
说明
 
介绍:
NECs 3.2V, 3W, L/S BAND MEDIUM POWER SILICON LD-MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
nec'
s
3.2 v, 3 w, l/s 乐队
中 电源 硅 ld-场效应晶体管

特点
低 成本 塑料 表面 安装 包装
高 输出 电源:
+35.5 dbm 典型值
高 线性 增益:
16 db 典型值 @ 915 mhz
高 电源 已添加 效率:
65% 典型值 @
v
ds
= 3.2 v, f = 915 mhz
单独 供应:
2.8 至 6.0 v
类 ab 操作
表面 安装 包装:
5.7
x
5.7
x
1.1 mm 最大值
NE5520379A
大纲 尺寸
(单位 入点 mm)
包装 大纲 79a
描述
nec's ne5520379a 是 一个 n通道 硅 电源 场效应晶体管
特别设计作为变速器电源放大器用于
3.2 v gsm900 手持设备. 模具 是 已制造 使用 nec's
newmos 技术 (nec's 0.6
μ
m wsi 闸门 横向 mos-
场效应晶体管) 和 已安置 入点 一个 表面 安装 包装. 这个 设备
可以 交付 35.5 dbm 输出 电源 在 915 mhz 和 3.2 v, 或
34.6 dbm 输出 电源 在 2.8 v 由 变化 这 闸门 电压
作为 一个 电源 控制 功能.
备注:
1. 直流 业绩 是 已测试 100%. 几个 样品 按 晶圆 是 已测试 用于 rf 业绩. 晶圆 拒收 标准 用于 标准 设备 是 1
拒绝 用于 几个 样品.
电气 特性
(t
一个
= 25°c)
零件 号码 NE5520379A
包装 大纲 79A
符号 特性 单位 最小 典型值 最大值 测试一下 条件
p
出点
输出 电源 dBm 35.5
g
l
线性 增益
(在 p
入点
= +10 dbm) db 16.0
η
d
排水管 Ef % 68
η
添加
电源 已添加 Ef % 65
d
操作 排水管 电流 一个 1.0
p
出点
输出 电源 dBm 31.0 33.0
g
l
线性 增益
(在 p
入点
= +10 dbm) db 8.5
d
操作 排水管 电流 ma 750
η
d
排水管 Ef % 29 38
η
添加
电源 已添加 Ef % 35
GSS
栅极到源极 泄漏 电流 不适用 100 v
gs
= 6.0 v
DSS
漏源 泄漏 电流 不适用 100 v
ds
= 8.5 v
v
th
闸门 阈值 电压 v 1.0 1.35 2.0 v
ds
= 3.5 v, 我
ds =
1 ma
通用汽车 跨导 s 2.5 v
ds
= 3.5 v, 我
ds1 =
0.8 一个, 我
ds2 =
1.0 一个
BV
DSS
漏源 击穿 电压 v 15 20
DSS
= 10 µa
th
热 电阻
°
c/w 5 频道-至-案例
功能
特性
电气 直流
特性
f = 915 mhz, v
ds
= 3.2 v,
v
gs
= 2.5 v(rf 关)
(备注 1)
f = 1785 mhz, v
ds
= 3.2 v,
v
gs
= 2.5 v
(备注 1)
数字 细胞 电话:
3.2 v gsm900/dcs 1800 双 乐队 手持设备
其他:
双向 寻呼机
retail 业务 收音机
特殊 移动电话 收音机
短 范围 无线
应用程序
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