NESG2031M05
nec's npn sige
高 频率 tran sis 托尔
M05
描述
nec's nesg2031m05 是 预制 使用 necs 高 电压
硅 锗 流程 (uhs2-hv), 和 是 设计 用于
一个 宽 范围 的 应用程序 包括 低 噪声 ampli
fi
ers,
中 电源 ampli
fi
ers, 和 振荡器.
NECs低 专业版
fi
乐,
fl
在 铅 风格 m05 包装 提供 高
频率 业绩 用于 紧凑型 无线 设计.
加利福尼亚 东部的 实验室
•
高 击穿 电压 sige 技术
v
CEO
= 5 v (绝对 最大值)
•
低 噪声 图:
nf
= 0.8 dbm 在 2 ghz
nf
= 1.3 dbm 在 5.2 ghz
•高 最大值 稳定 增益:
MSG
= 21.5 db 在 2 ghz
•
低 配置文件 m05 包装:
sot-343 占地面积, 与 一个 高度 的 仅 0.59 mm
扁平 铅 风格 用于 更好 rf 业绩
特点
备注:
1. msg =
2. 收集器 至 底座 电容 是 已测量 由 电容 仪表 (自动 余额 桥梁 方法) 当 发射器 管脚 是 con 连接 ed 至
这 护卫 管脚.
3. 脉冲 测量, 脉冲 宽度
≤
350
µ
s, 职责 循环
≤
2 %.
零件 号码 NESG2031M05
包装 大纲 M05
符号 参数 和 条件 单位 最小 典型值 最大值
nf 噪声 图 在 v
ce
= 2 v, 我
c
= 5 ma, f = 5.2 ghz, db1.3
z
s
= z
SOPT
, zl = z
LOPT
g
一个
关联的 增益 在 v
ce
= 2 v, 我
c
= 5 ma, f = 5.2 ghz, db10.0
z
s
= z
SOPT
, zl = z
LOPT
nf 噪声 图 在 v
ce
= 2 v, 我
c
= 5 ma, f = 2 ghz, db0.8 1.1
z
s
= z
SOPT
, zl = z
LOPT
g
一个
关联的 增益 在 v
ce
= 2 v, 我
c
= 5 ma, f = 2 ghz, db 15.017.0
z
s
= z
SOPT
, zl = z
LOPT
MSG最大值 稳定 增益
1
在 v
ce
= 3 v, 我
c
= 20 ma, f = 2 ghzdb 19.021.5
|S
21E
|
2
插入 电源 增益 在 v
ce
= 3 v, 我
c
= 20 ma, f = 2 ghzdb 16.018.0
p
1dB
输出 电源 在 1db 压缩 点 在 dBm 13
v
ce
= 3 v, 我
c
= 20 ma, f = 2 ghz
OIP
3
输出 3rd 订单 截距 点 在 v
ce
= 3 v, 我
c
= 20 ma, f = 2 ghz dBm 23
f
t
增益 带宽 产品 在 v
ce
= 3 v, 我
c
= 20 ma, f = 2 ghz GHz 20 25
c
re
反向 转让 电容
2
在 v
cb
= 2 v, 我
c
= 0 ma, f = 1 ghz pf0.15 0.25
我
CBO
收集器 截止 电流 在 v
cb
= 5v, 我
e?
= 0 不适用100
我
EBO
发射器 截止 电流 在 v
eb
= 1 v, 我
c
= 0 不适用100
h
铁
直流 电流 增益
3
在 v
ce
= 2 v, 我
c
= 5 ma 130 190260
电气 特性
(t
一个
= 25°c)
RF
直流
s
21
s
12
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