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资料编号:521647
 
资料名称:NTB4302T4
 
文件大小: 71.73K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET 74 Amps, 30 Volts
 
 


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1
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8
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
半导体 组件 行业, llc, 2003
october, 2003 − rev. 1
1
出版物 订单 号码:
ntp4302/d
ntp4302, ntb4302
电源 场效应晶体管
74 安培数, 30 伏特
n−channel to−220 和 d
2
pak
特点
低 右
ds(开启)
较高 效率 扩展 蓄电池 生活
二极管 展品 高 速度, 软 回收
雪崩 能源 指定
DSS
指定 在 高架 温度
典型 应用程序
dc−dc 转换器
低 电压 电机 控制
电源 管理 入点 便携式 和 蓄电池 通电 产品: ie:
计算机, 打印机, 细胞 和 无绳 电话, 和 pcmcia
卡片
最大值 额定值
(t
j
= 25
°
c 除非 否则 已注明)
评级
符号 单位
drain−to−source 电压 v
DSS
30 Vdc
drain−to−gate 电压 (右
gs
= 10 m
) v
DGR
30 Vdc
gate−to−source 电压
− 连续
v
gs
20
Vdc
排水管 电流
− 连续 @ t
c
= 25
°
c
− 连续 @ t
c
= 100
°
c
− 单独 脉冲 (t
p
10
µ
s)
d
d
dm
74
47
175
adc
Apk
合计 电源 耗散 @ t
c
= 25
°
c
降额 以上 25
°
c
p
d
80
0.66
w
w/
°
c
操作 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
55 至
+150
°
c
单独 脉冲 drain−to−source 雪崩
能源 − 起动 t
j
= 25
°
c
(v
dd
= 30 vdc, v
gs
= 10 vdc, l = 5.0 mh
l(pk)
= 17 一个, v
ds
= 30 vdc, 右
g
= 25
)
e?
作为
722 mJ
热 电阻
− junction−to−case
− junction−to−ambient (备注 1)
θ
jc
θ
ja
1.55
70
°
c/w
最大值 铅 温度 用于 焊接
目的, 1/8
从 案例 用于 10 秒
t
l
260
°
c
1. 当 表面 已安装 至 一个 fr4 板 使用 最小值 推荐 衬垫
尺寸, (铜 面积 0.412 入点
2
).
2. 电流 有限 由 内部 铅 电线.
74 安培
ds(开启)
= 9.3 m
NTP4302 TO−220AB 50 单位/轨道
TO−220AB
案例 221a
风格 5
1
2
3
4
N−Channel
d
s
g
标记 图表
&放大器; 管脚 作业
x = p 或 b
NTx4302 = 设备 代码
ll = 位置 代码
y = 年份
ww = 工作 周
NTx4302
LLYWW
1
闸门
3
来源
4
排水管
2
排水管
NTx4302
LLYWW
1
闸门
3
来源
4
排水管
2
排水管
1
2
3
4
d
2
pak
案例 418aa
风格 2
NTB4302 d
2
PAK 50 单位/轨道
NTB4302T4 d
2
PAK 800/胶带 &放大器; 卷轴
http://onsemi.com
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