半导体 组件 industries, llc, 2004
12月, 2004 − rev. 6
1
发行 顺序 号码:
ntd110n02r/d
NTD110N02R
电源 场效应晶体管
24 v, 110 一个, n−channel dpak
特性
•
planar hd3e 处理 为 快 切换 效能
•
低 r
ds(在)
至 降低 传导 丧失
•
低 c
iss
至 降低 驱动器 丧失
•
低 门 承担
•
优化 为 高 一侧 切换 (所需的)东西 在
high−efficiency dc−dc 转换器
•
pb−free 包装 是 有
最大 比率
(t
J
= 25
°
c 除非 否则 指出)
比率
标识 值 单位
drain−to−source 电压 V
DSS
24 V
gate−to−source 电压 − 持续的 V
GS
±
20 V
热的 阻抗 − junction−to−case
总的 电源 消耗 @ t
C
= 25
°
C
流 电流
− 持续的 @ t
C
= 25
°
c, 碎片
− 持续的 @ t
C
= 25
°
c,
限制 用 包装
− 持续的 @ t
一个
= 25
°
c,
限制 用 线
− 单独的 脉冲波 (t
p
= 10
s)
R
JC
P
D
I
D
I
D
I
D
I
D
1.35
110
110
110
32
110
°
c/w
W
一个
一个
一个
一个
热的 阻抗
− junction−to−ambient (便条 1)
− 总的 电源 消耗 @ t
一个
= 25
°
C
− 流 电流 − 持续的 @ t
一个
= 25
°
C
R
JA
P
D
I
D
52
2.88
17.5
°
c/w
W
一个
热的 阻抗
− junction−to−ambient (便条 2)
− 总的 电源 消耗 @ t
一个
= 25
°
C
− 流 电流 − 持续的 @ t
一个
= 25
°
C
R
JA
P
D
I
D
100
1.5
12.5
°
c/w
W
一个
运行 和 存储
温度 范围
T
J
, t
stg
−55 至
175
°
C
单独的 脉冲波 drain−to−source avalanche
活力 − 开始 t
J
= 25
°
C
(v
DD
= 50 vdc, v
GS
= 10 vdc,
I
L
= 15.5 apk, l = 1.0 mh, r
G
= 25
)
E
作
120 mJ
最大 含铅的 温度 为 焊接
目的, (1/8
″
从 情况 为 10 s)
T
L
260
°
C
最大 比率 是 那些 值 在之外 这个 设备 损坏 能 出现.
最大 比率 应用 至 这 设备 是 单独的 压力 限制 值 (不
正常的 运行 情况) 和 是 不 有效的 同时发生地. 如果 这些 限制 是
超过, 设备 函数的 运作 是 不 暗指, 损坏 将 出现 和
可靠性 将 是 影响.
1. 当 表面 挂载 至 一个 fr4 板 使用 0.5 sq 在 流 垫子 大小.
2. 当 表面 挂载 至 一个 fr4 板 使用 这 最小 推荐
垫子 大小.
N−Channel
D
S
G
标记 图解
&放大; 管脚 assignments
Y = 年
WW = 工作 week
T110N2 = 设备 代号
24 v 4.1 m
@ 10 v
R
ds(在)
典型值
110 一个
I
D
最大值V
(br)dss
情况 369aa
DPAK
(表面 挂载)
样式 2
1
2
3
4
情况 369d
DPAK
(笔直地 含铅的)
样式 2
YWW
T
110N2
1
门
3
源
2
流
4
流
1
2
3
4
1
门
3
源
2
流
4
流
YWW
T
110N2
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