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资料编号:521709
 
资料名称:NTD15N06L-1
 
文件大小: 93.8K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET 15 Amps, 60 Volts, Logic Level
 
 


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1
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
半导体 组件 行业, llc, 2003
九月, 2003 − rev. 1
1
出版物 订单 号码:
ntd15n06l/d
NTD15N06L
电源 场效应晶体管
15 安培数, 60 伏特, 逻辑 水平
n−channel dpak
设计 用于 低 电压, 高 速度 开关 应用程序 入点
电源 供应品, 转换器 和 电源 电机 控件 和 桥梁
电路.
典型 应用程序
电源 供应品
转换器
电源 电机 控件
桥梁 电路
最大值 额定值
(t
j
= 25
°
c 除非 否则 已注明)
评级
符号 单位
drain−to−source 电压 v
DSS
60 Vdc
drain−to−gate 电压 (右
gs
= 1.0 m
) v
DGR
60 Vdc
gate−to−source 电压
− 连续
− non−repetitive (t
p
10 ms)
v
gs
v
gs
15
20
Vdc
排水管 电流
− 连续 @ t
一个
= 25
°
c
− 连续 @ t
一个
= 100
°
c
− 单独 脉冲 (t
p
10
s)
d
d
dm
15
10
45
adc
Apk
合计 电源 耗散 @ t
j
= 25
°
c
降额 以上 25
°
c
合计 电源 耗散 @ t
一个
= 25
°
c (备注 1)
合计 电源 耗散 @ t
一个
= 25
°
c (备注 2)
p
d
48
0.32
2.1
1.5
w
w/
°
c
w
w
操作 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
55 至
+175
°
c
单独 脉冲 drain−to−source 雪崩
能源 − 起动 t
j
= 25
°
c
(v
dd
= 25 vdc, v
gs
= 5.0 vdc, l = 1.0 mh,
l(pk)
= 11 一个, v
ds
= 60 vdc)
e?
作为
61
mJ
热 电阻
− junction−to−case
− junction−to−ambient (备注 1)
− junction−to−ambient (备注 2)
jc
ja
ja
3.13
71.4
100
°
c/w
最大值 铅 温度 用于 焊接
目的, 1/8
从 案例 用于 10 秒
t
l
260
°
c
1. 当 表面 已安装 至 一个 fr4 板 使用 0.5 sq. 入点. 衬垫 尺寸,.
2. 当 表面 已安装 至 一个 fr4 板 使用 这 最小值 推荐
衬垫 尺寸.
15 安培
ds(开启)
= 85 m
典型值)
设备 包装 装运
订购 信息
NTD15N06L DPAK 75 单位/轨道
http://onsemi.com
N−Channel
d
s
g
NTD15N06L−1 DPAK
直线 铅
75 单位/轨道
NTD15N06LT4 DPAK 2500/胶带 &放大器; 卷轴
1
闸门
3
来源
2
排水管
4
排水管
DPAK
案例 369c
风格 2
标记 图表
15N06L 设备 代码
y = 年份
ww = 工作 周
YWW
15N06L
1
2
3
4
YWW
15N06L
1
闸门
3
来源
2
排水管
4
排水管
DPAK
案例 369d
风格 2
1
2
3
4
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