半导体 组件 行业, llc, 2004
12月, 2004 − rev. 10
1
出版物 订单 号码:
ntd60n02r/d
NTD60N02R
电源 场效应晶体管
62 一个, 24 v, n−channel, dpak
特点
•
平面 hd3e 流程 用于 快 开关 业绩
•
低 右
ds(开启)
至 最小化 传导 损失
•
低 c
国际空间站
至 最小化 驾驶员 损失
•
低 闸门 费用
•
优化 用于 高 侧面 开关 要求 入点
high−efficiency dc−dc 转换器
•
pb−free 软件包 是 可用
最大值 额定值
(t
j
= 25
°
c 除非 否则 已注明)
评级
符号 值 单位
drain−to−source 电压 v
DSS
24 Vdc
gate−to−source 电压 − 连续 v
gs
±
20 Vdc
热 电阻
Junction−to−Case
合计 电源 耗散 @ t
c
= 25
°
c
排水管 电流
连续 @ t
c
= 25
°
c, 芯片
连续 @ t
c
= 25
°
c, 有限 由 包装
连续 @ t
一个
= 25
°
c, 有限 由 电线
右
jc
p
d
我
d
我
d
我
d
2.6
58
62
50
32
°
c/w
w
一个
一个
一个
热 电阻
junction−to−ambient (备注 1)
合计 电源 耗散 @ t
一个
= 25
°
c
排水管 电流 − 连续 @ t
一个
= 25
°
c
右
ja
p
d
我
d
80
1.87
10.5
c/w
w
一个
热 电阻
junction−to−ambient (备注 2)
合计 电源 耗散 @ t
一个
= 25
°
c
排水管 电流 − 连续 @ t
一个
= 25
°
c
右
ja
p
d
我
d
120
1.25
8.5
°
c/w
w
一个
操作 和 存储 温度 t
j
, 和
t
stg
−55 至
175
°
c
单独 脉冲 drain−to−source 雪崩 能源
− 起动 t
j
= 25
°
c
(v
dd
= 50 vdc, v
gs
= 10.0 vdc,
我
l
= 11 apk, l = 1.0 mh, 右
g
= 25
)
e?
作为
60 mJ
最大值 铅 温度 用于 焊接
目的, 1/8
″
从 案例 用于 10 秒
t
l
260
°
c
最大值 额定值 是 那些 数值 超越 哪个 设备 损伤 可以 发生.
最大值 额定值 已应用 至 这 设备 是 个人 应力 限制 数值 (不
正常 操作 条件) 和 是 不 有效 同时. 如果 这些 限制 是
超过, 设备 功能 操作 是 不 默示, 损伤 将 发生 和
可靠性 将 是 受影响.
1. 当 表面 已安装 至 一个 fr4 板 使用 0.5 入点 sq 排水管 衬垫 尺寸.
2. 当 表面 已安装 至 一个 fr4 板 使用 这 最小值 推荐
衬垫 尺寸.
标记 图表
&放大器; 管脚 作业
http://onsemi.com
y = 年份
ww = 工作 周
60N02R = 设备 代码
24 v 8.4 m
@ 10 v
右
ds(开启)
典型值
62 一个
我
d
最大值v
(br)dss
案例 369d
DPAK
(直线 铅)
风格 2
1
闸门
3
来源
2
排水管
4
排水管
YWW
T60
N02R
YWW
T60
N02R
1
闸门
3
来源
2
排水管
4
排水管
1
2
3
4
请参见 详细 订购 和 装运 信息 入点 这 包装
尺寸 截面 开启 第页 5 的 这个 数据 工作表.
订购 信息
N−Channel
d
s
g
案例 369aa
DPAK
(表面 安装)
风格 2
1
2
3
4
1
2
3
4
案例 369c
DPAK
(表面 安装)
风格 2
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