半导体 组件 行业, llc, 2003
8月, 2003 − rev. 0
1
出版物 订单 号码:
ntjd4001n/d
NTJD4001N
小 信号 场效应晶体管
30 v, 250 ma, 双 n−channel, sc−88
特点
•
低 闸门 费用 用于 快 开关
•
小 占地面积 − 30% 较小 比 tsop−6
•
esd 保护 闸门
•
pb−free 包装 用于 绿色 制造业 (g 后缀)
应用程序
•
低 侧面 荷载 开关
•
li−ion 蓄电池 提供的 设备 − 细胞 电话, pdas, dsc
•
降压 转换器
•
水平 轮班
最大值 额定值
(t
j
= 25
°
c 除非 否则 声明)
参数
符号 值 单位
drain−to−source 电压 v
DSS
30 v
gate−to−source 电压 v
gs
±
20 v
连续 排水管
电流 (备注 1)
稳定
州
t
一个
= 25
°
c
我
d
250
ma
电流 (备注 1) 州
t
一个
= 85
°
c 180
电源 耗散
(备注 1)
稳定
州
t
一个
= 25
°
c p
d
272 mW
脉冲 排水管 电流 t =10
µ
s 我
dm
600 ma
操作 接合点 和 存储 温度 t
j
, t
stg
−55 至
150
°
c
来源 电流 (车身 二极管) 我
s
250 ma
铅 温度 用于 焊接 目的
(1/8” 从 案例 用于 10 s)
t
l
260
°
c
1.
表面 已安装 开启 fr4 板 使用 1 入点 sq. 衬垫 尺寸
(铜 面积 = 1.127 入点 sq. [1 oz] 包括 痕迹).
设备 包装 装运
订购 信息
NTJD4001NT1 SC−88 3000 单位/卷轴
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sc−88 / sot−363
案例 419b
风格 26
标记 图表
6
1
http://onsemi.com
te = 设备 代码
d = 日期 代码
16
Drain−1
Gate−2
Source−2
Source−1
Gate−1
Drain−2
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SOT−363
sc−88 (6 导联)
d
1
g
2
s
2
s
1
g
1
6
5
4
1
2
3
v
(br)dss
右
ds(开启)
典型值 我
d
最大值
30 v
1.0
@ 4.0 v
1.5
@ 2.5 v
250 ma
NTJD4001NT1G
SC−88
(pb−free)
3000 单位/卷轴
管脚 分配
泰德
d
2
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