FEATURES
电路 技术
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eroflex 电路技术 - 先进的 multichip modules © scd1677 rev 一个 4/28/98
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2 – 128k x 8 srams &放大; 2 – 128k x 8 flash 消逝 在
一个 mcm
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进入 时间 的 25ns (sram) 和 60ns (flash)
或者
35ns (sram) 和 70 或者 90ns (flash)
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128k x 16 sram
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128k x 16 5v flash
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有组织的 作 128k x 16 的 sram 和 128k x 16 的
flash 记忆 和 独立的 数据 buses
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两个都 blocks 的 记忆 是 用户 configurable 作
256k x 8
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低 电源 cmos
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输入 和 输出 ttl 兼容 设计
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mil-prf-38534 一致的 mcms有
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解耦 电容 和 多样的 grounds 为 低
噪音
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工业的 和 军队温度 范围
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工业 标准 pinouts
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包装 – 密封的 陶瓷的
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66 管脚, 1.08" x 1.08" x .160" pga类型, 非 shoulder,
aeroflex code# "p3"
●
66 管脚, 1.08" x 1.08" x .185" pga类型, 和
Shoulder, aeroflex code# "p7"
●
68 含铅的, .94" x .94" x .140" single-cavity 小
外形 gull wing, aeroflex code# "f18"
(drops 在
这 68 含铅的 电子元件工业联合会 .99"sq cqfj footprint)
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desc smd pending – 5962-96900
flash memory feATURES
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sector architecture (各自 消逝)
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8 equal sectors 的 16k 字节 各自
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任何 结合体 的 sectors 能 是 erased 和 一个
command sequence.
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+5v programing, 5v ±10% 供应
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embedded 擦掉 和 程序 algorithms
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硬件 和 软件 写 保护
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内部的 程序 控制 时间.
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10,000 擦掉/程序 循环
管脚 描述
fi/o
0-15
flash 数据 i/o
si/o
0-15
sram 数据 i/o
一个
0–16
地址 输入
FWE
1-2
flash 写 使能
SWE
1-2
sram 写 使能
FCE
1-2
flash 碎片 使能
SCE
1-2
sram 碎片 使能
OE
输出 使能
NC 不 连接
V
CC
电源 供应
地 地面
128Kx8
FCE
2
OE
一个
0
–
一个
16
si/o
0-7
si/o
8-15
fi/o
0-7
fi/o
8-15
8 8 8 8
FCE
1
FWE
2
FWE
1
SWE
2
SWE
1
SCE
1
SCE
2
块
图解 – pga类型 包装 (p3,p7) 和 cqfp (f18)
SRAM
128Kx8
SRAM
128Kx8
Flash
128Kx8
Flash
128kx16 sram/flash multichip 单元
act–sf128k16 高 速
便条: 程序编制 信息 有 在之上 要求