特点
直接 更换 用于 siliconix 衬垫 系列
反向 击穿 电压
BV
右
≥
-30v
反向 电容 c
rss
≤
2.0pf
绝对 最大值 额定值
1
@ 25 °c (除非 否则 声明)
最大值 温度
存储 温度 -65 至 +150 °c
操作 接合点 温度 -55 至 +135 °c
最大值 电源耗散
连续 电源 耗散 (衬垫) 300mW
连续 电源 耗散 (j/sstpad) 350mW
最大值 电流
前进 电流 (衬垫) 50mA
前进 电流 (j/sstpad) 10mA
普通 电气 特性 @ 25 °c (除非 否则 声明)
符号 特性 最小 典型值 最大值 单位 条件
全部 衬垫 -45
全部 sstpad -30
BV
右
反向 击穿
电压
全部 jpad -35
我
右
= -1µa
v
f
前进 电压 0.8 1.5
v
我
f
= 5ma
pad1,5 0.5 0.8
c
rss
合计 反向 电容
全部 其他 1.5 2
pf v
右
= -5v,
f
= 1mhz
具体 电气 特性@ 25 °c (除非 否则 声明)
符号 特性 衬垫
2
JPAD
2
SSTPAD
2
单位 条件
(sst/j)pad1 -1
(sst/j)pad2 -2
(sst/j)pad5 -5 -5 -5
(sst/j)pad10 -10 -10 -10
(sst/j)pad20 -20 -20 -20
(sst/j)pad50 -50 -50 -50
(sst/j)pad100 -100 -100
(sst/j)pad200 -200
我
右
最大值 反向
泄漏 电流
2
(sst/j)pad500 -500
pa v
右
= -20v
* 阴极 系紧 至 案例
PAD*
一个
K*
1
2
底部 查看
至-72
SSTPAD
1
2
3
sot-23
顶部 查看
k
一个
k
JPAD
至-92
底部 查看
12
KA
pad1,2,5
一个
k
c
13
2
底部 查看
至-72
线性 综合 系统s
衬垫 系列
pico 安培 二极管
线性 综合 系统s
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