irg4bc30u-s
ultrafast 速 igbt
insulated 门 双极 晶体管
E
C
G
n-频道
V
CES
= 600v
V
ce(在) 典型值
= 1.95v
@V
GE
= 15v, i
C
= 12a
特性
• ultrafast: 优化 为 高 运行
发生率 8-40 khz 在 hard 切换, >200
khz 在 resonant 模式
• 一代 4 igbt 设计 提供 tighter
参数 分发 和 高等级的 效率 比
一代 3
• 工业 标准 d
2
pak 包装
• 一代 4 igbt's 提供 最高的 效率 有
• igbt's 优化 为 指定 应用 情况
• 设计 至 是 一个 "漏出-在" 替换 为 相等的
工业-标准 一代 3 ir igbt's
益处
www.irf.com 1
*
当 挂载 在 1" 正方形的 pcb (fr-4 或者 g-10 材料 ). 为 推荐 footprint 和 焊接
技巧 谈及 至 应用 便条 #an-994.
2
d pak
pd - 91803
参数 最大值 单位
V
CES
集电级-至-发射级 损坏 电压 600 V
I
C
@ t
C
= 25°c 持续的 集电级 电流 23
I
C
@ t
C
= 100°c 持续的 集电级 电流 12 一个
I
CM
搏动 集电级 电流
92
I
LM
clamped inductive 加载 电流
92
V
GE
门-至-发射级 电压 ± 20 V
E
ARV
反转 电压 avalanche 活力
10 mJ
P
D
@ t
C
= 25°c 最大 电源 消耗 100
P
D
@ t
C
= 100°c 最大 电源 消耗 42
T
J
运行 接合面 和 -55 至 + 150
T
STG
存储 温度 范围
绝对 最大 比率
W
参数 典型值 最大值 单位
R
q
JC
接合面-至-情况 ––– 1.2 °c/w
R
q
JA
接合面-至-包围的, (pcb 挂载,稳步的-状态)* ––– 40
热的 阻抗
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