飞利浦 半导体 产品 规格
TrenchMOS
晶体管 php125n06lt, phb125n06lt
逻辑 水平的 场效应晶体管
特性 标识 快 涉及 数据
•
’Trench’
技术
V
DSS
= 55 v
• 非常 低 在-状态 阻抗
• 快 切换
I
D
= 75 一个
• 稳固的 止-状态 特性
• 高 热的 cycling 效能
R
ds(在)
≤
8 m
Ω
(v
GS
= 5 v)
• 低 热的 阻抗
R
ds(在)
≤
7 m
Ω
(v
GS
= 10 v)
一般 描述
n-频道 增强 模式, 逻辑 水平的, 地方-效应 电源 晶体管 在 一个 塑料 封套 使用 ’
trench
’ 技术.
这 设备 有 非常 低 在-状态 阻抗. 它 是 将 为 使用 在 直流 至 直流 转换器 和 一般 目的 切换
产品.
这 PHP125N06LT 是 有提供的 在 这 SOT78 (to220ab) 常规的 含铅的 包装.
这 PHB125N06LT 是 有提供的 在 这 SOT404 表面 挂载 包装.
固定 sot78 (to220ab) SOT404
管脚 描述
1 门
2 流
1
3 源
tab 流
限制的 值
限制的 值 在 一致 和 这 绝对 最大 系统 (iec 134)
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
DSS
流-源 电压 T
j
= 25 ˚c 至 175˚c - 55 V
V
DGR
流-门 电压 T
j
= 25 ˚c 至 175˚c; r
GS
= 20 k
Ω
-55v
V
GS
门-源 电压 -
±
13 V
I
D
持续的 流 电流 T
mb
= 25 ˚c - 75 一个
T
mb
= 100 ˚c - 75 一个
I
DM
搏动 流 电流 T
mb
= 25 ˚c - 240 一个
P
D
总的 电源 消耗 T
mb
= 25 ˚c - 250 W
T
j
, t
stg
运行 接合面 和 - 55 175 ˚C
存储 温度
d
g
s
13
tab
2
123
tab
march 1998 1 rev 1.400
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