特点
•
单独 电源 供应 操作
- 低 电压 范围: 2.7 v - 3.6 v
• 记忆 组织机构
- pm39lv512: 64k x 8 (512 kbit)
- pm39lv010: 128k x 8 (1 mbit)
- pm39lv020: 256k x 8 (2 mbit)
- pm39lv040: 512k x 8 (4 mbit)
• 高 业绩 阅读
- 55/70 ns 访问权限 时间
• 成本 有效 部门/块 体系结构
- 制服 4 kbyte 扇区
- 制服 64 kbyte 块 (部门 集团 - 除了
pm39lv512)
• data# 轮询 和 切换 有点 特点
• 硬件 数据 保护
• 自动 擦除 和 字节 程序
- 构建-入点 自动 程序 验证
-
典型 16 µs/字节 编程 时间
- 典型 55 ms 部门/块/芯片 擦除 时间
• 低 电源 消费
- 典型 4 ma 活动 阅读 电流
- 典型 8 ma 程序/擦除 电流
- 典型 0.1 µa cmos 备用 电流
• 高 产品 耐力
- 保函 100,000 程序/擦除 循环次数 按
单独 部门 (初步)
- 最小值 20 年 数据 保留
• 工业 标准 pin-out 和 包装
- 32-管脚 (8 mm x 14 mm) vsop
- 32-管脚 plcc
- 可选 无铅 (铅-免费) 包装
概述 描述
这 pm39lv512/010/020/040 是 512 kbit/1 mbit/2 mbit/4 mbit 3.0 仅电压 闪光灯 memories. 这些 设备 是
设计 至 使用 一个 单独 低 电压, 范围 从 2.7 电压 至 3.6 电压, 电源 供应 至 执行 read, 擦除 和
程序 运营. 这 12.0 电压 v
pp
电源 供应 用于 程序 和 擦除 运营 是 不 必填项. 这 设备
可以 是 编程 入点 标准 非易失存储器 程序员 作为 井.
这 记忆 阵列 的 pm39lv512 是 分割 进入 制服 4 kbyte 扇区 用于 数据 或 代码 存储. 这 记忆
阵列 的 pm39lv010/020/040 是 分割 进入 制服 4 kbyte 扇区 或 制服 64 kbyte 块 (部门 集团 -
由 的 十六 相邻 扇区). 这 部门 或 块 擦除 功能 允许 用户 至 flexibly 擦除 一个 记忆
面积 作为 小 作为 4 kbyte 或 作为 大型 作为 64 kbyte 由 一个 单独 擦除 操作 无 影响 这 数据 入点 其他.
这 芯片 擦除 功能 允许 这 整体 记忆 阵列 至 是 已擦除 入点 一个 单独 擦除 操作. 这 设备 可以
是 编程 开启 一个 逐字节 依据 之后 表演 这 擦除 操作.
这 设备 有 一个 标准 微处理器 接口 作为 井 作为 一个 电子元件工业联合会 标准 管脚-出点/命令 设置. 这
程序 操作 是 处决 由 签发 这 程序 命令 代码 进入 命令 注册. 这 内部 控制
逻辑 自动 手柄 这 编程 电压 爬坡 和 计时. 这 擦除 操作 是 处决 由
签发 这 芯片 擦除, 块, 或 部门 擦除 命令 代码 进入 命令 注册. 这 内部 控制 逻辑
自动 手柄 这 擦除 电压 爬坡 和 计时. 这 预编程 开启 这 阵列 哪个 有 不 被
编程 是 不 必填项 之前 一个 擦除 操作. 这 设备 报价 data# 轮询 和 切换 有点 功能, 这
进度 或 竣工 的 程序 和 擦除 运营 可以 是 检测到 由 阅读 这 data# 轮询 开启 我/o7 或
这 切换 有点 开启 我/o6.
这 pm39lv512/010/020/040 是 已制造 开启 pmc’s 高级 非挥发性 cmos 技术, p-flash™.
这 设备 是 提供 入点 32-管脚 vsop 和 plcc 软件包 与 访问权限 时间 的 55 和 70 ns.
PMC
512 kbit / 1mbit / 2mbit / 4mbit 3.0 仅电压 cmos 闪光灯 记忆
可编程 微电子学 corp.
问题 日期: 12月, 2003 rev:1.2
pm39lv512 / pm39lv010 / pm39lv020 / pm39lv040
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