developmental 数据 薄板 1 的 4 2004-03-17
Typical 边缘 evm performance
V
DD
= 28 v, i
DQ
= 2.2 一个,f = 1989.1 mhz
0
1
2
3
4
30 35 40 45 50 55
输出 电源 (dbm)
evm rms (平均 %).
0
5
10
15
20
25
30
35
40
流 efficiency (%)
EVMEfficiency
进步 信息
PTF191601
ldmos rf电源 地方 效应Transistor
160w,1930 – 1990 mhz
特性
• broadband 内部的 相一致
• Typical 边缘 效能
- 平均 输出 电源 = 62 w
- 增益 = 14 db
- 效率 = 32%
- evm = 1.7%
• Typical cw 效能
- 输出 电源 在 p–1db = 180 w
- 增益 = 13 db
- 效率 = 47%
• 整体的 静电释放 保护: 人 身体
模型, 类 1 (最小)
• 极好的 热的 稳固
• 低 hci 逐渐变化
• 有能力 的 处理 10:1 vswr @ 28v,
160 w (cw) 输出 电源
静电释放:
静电的 释放 敏感的 device—observe 处理 precautions!
描述
这 ptf191601 是 一个 160W, 内部 matched
GOLDMOS
场效应晶体管 将
为 gsm 和 边缘 产品 在 这 1930 至 1990 mhz 带宽. 全部 金
敷金属 确保 极好的 设备 存在期 和 reliability.
PTF191601E
包装 30260
rf 特性
在 t
情况
= 25°c 除非 否则 表明
边缘 度量
(不 主题 至 生产 test—verified 用 设计/描绘 在 infineon 测试 fixture)
V
DD
= 28V, i
DQ
= 2.2 一个, p
输出
= 62W, f = 1989.8 mhz
典型的 标识 最小值 典型值 最大值 单位
错误vector 巨大 evm (rms) — 1.7 — %
调制 spectrum @ 400 khz ACPR — –60 — dBc
调制 spectrum @ 600 khz ACPR — –73 — dBc
增益 G
ps
— 14 — dB
流 效率
η
D
— 32 — %
Two–声调 度量
(测试 在 infineon 测试 fixture)
V
DD
= 28V, i
DQ
= 2.2 一个, p
输出
= 160 w peP, f = 1990 mhz, 声调 间隔 = 1 mhz
典型的 标识 最小值 典型值 最大值 单位
增益 G
ps
— 14 — dB
流 效率
η
D
— 36 — %
交调 扭曲量 IMD — –30 — dBc
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