developmental 数据 薄板 1 2003-12-05
PTF080601A
包装 20248
PTF080601E
包装 30248
PTF080601F
包装 31248
-90
-80
-70
-60
-50
-40
-30
-20
32 34 36 38 40 42 44 46
输出 电源 (dbm)
调制 spectrum (db)
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
效率 (%)
V
DD
= 28v, i
DQ
= 550m一个, f = 959.8MHz
Typical边缘 modul一个tion spectrum 效能
mod spectrum vs. 输出 电源
Efficiency
400KHz
600KHz
developmental ptf080601
ldmos rf电源 地方 效应Transistor
60w,860–960 mhz
特性
• broadband 内部的 相一致
• Typical 边缘 效能
- 平均 输出 电源 =30W
- 增益 = 18 db
- 效率 =40%
• Typical cw 效能
- 输出 电源 在 p–1db =90W
- 增益 =17dB
- 效率 =60%
• 整体的 静电释放 保护: 人 身体
模型, 类 1 (最小)
• 极好的 热的 稳固
• 低 hci 逐渐变化
• 有能力 的 处理10:1 vswr @28v,
60 w (cw) 输出 电源
rf 特性
在 t
情况
= 25°c 除非 否则 表明
二-声调 度量
(测试 在 infineon 测试 fixture)
V
DD
= 28V, i
DQ
= 550 毫安, p
输出
= 60 w peP, f
C
= 960 mhz, 声调 间隔 = 1000 khz
典型的 标识 最小值 典型值 最大值 单位
增益 G
ps
— 18 — dB
流 效率
η
D
— 42 — %
交调 扭曲量 IMD — –32 — dBc
边缘 度量
(不 主题 至 生产 test—verified 用 设计/描绘 在 infineon 测试 fixture)
V
DD
= 28V, i
DQ
= 550 毫安, p
输出
= 30W, f = 959.8 mhz
典型的 标识 最小值 典型值 最大值 单位
错误vector 巨大 evm (rms) — 2.0 — %
调制 spectrum @ 400 khz ACPR — –61 — dBc
调制 spectrum @ 600 khz ACPR — –74 — dBc
增益 G
ps
— 18 — dB
流 效率
η
D
— 40 — %
描述
这 ptf080601 是 一个 60–W, 内部 matched
GOLDMOS
场效应晶体管 将
为 边缘 和 cdma 产品 在 这 860 至 960 mhz 带宽. 全部 金
敷金属 确保 极好的 设备 存在期 和 reliability.