developmental 数据 薄板 1 的 4 2004-04-28
边缘 evm 效能
evm &放大; 效率 vs. 输出 po我们r
V
DD
= 28 v, i
DQ
= 1.8 一个,f = 1879.8 mhz
0
1
2
3
4
35 38 40 43 45 48 50
输出 电源 (dbm)
evm rms (平均 %)
0
10
20
30
40
效率 (%)
EVM
Efficiency
developmental ptf181301
ldmos rf电源 地方 效应Transistor
130w,1805–1880 mhz
特性
• broadband 内部的 相一致
• Typical 边缘 效能
- 平均 输出 电源 = 55 w
- 增益 = 15.5 db
- 效率 = 32%
- evm = 1.7%
• Typical cw 效能
- 输出 电源 在 p–1db = 150 w
- 增益 = 14.5 db
- 效率 = 47%
• 整体的 静电释放 保护: 人 身体
模型, 类 1 (最小)
• 极好的 热的 稳固
• 低 hci 逐渐变化
• 有能力 的 处理 10:1 vswr @ 28v,
130 w (cw) 输出 电源
静电释放:
静电的 释放 敏感的 device—observe 处理 precautions!
描述
这 ptf181301 是 一个 130W, 内部 matched
GOLDMOS
场效应晶体管 将
为 gsm 和 边缘 产品 在 这 1805 至 1880 mhz 带宽. 全部 金
敷金属 确保 极好的 设备 存在期 和 reliability.
PTF181301A
包装 20260
rf 特性
在 t
情况
= 25°c 除非 否则 表明
边缘 度量
(不 主题 至 生产 test—verified 用 设计/描绘 在 infineon 测试 fixture)
V
DD
= 28V, i
DQ
= 1.8 一个, p
输出
= 55W, f = 1879.8 mhz
典型的 标识 最小值 典型值 最大值 单位
错误vector 巨大 evm (rms) — 1.7 — %
调制 spectrum @ 400 khz ACPR — –60 — dBc
调制 spectrum @ 600 khz ACPR — –73 — dBc
增益 G
ps
— 15.5 — dB
流 效率
η
D
— 32 — %
Two–声调 度量
(测试 在 infineon 测试 fixture)
V
DD
= 28V, i
DQ
= 1.8 一个, p
输出
= 130 w peP, f = 1880 mhz, 声调 间隔 = 1 mhz
典型的 标识 最小值 典型值 最大值 单位
增益 G
ps
— 15.5 — dB
流 效率 在 –30 dbc im3
η
D
— 35 — %
交调 扭曲量 IMD — –30 — dBc
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