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rb751v-40
二极管
rev.b 1/3
肖特基 屏障 二极管
rb751v-40
z
产品
UMD2
2.1
0.8min.
0.9min.
低 电流 整流
z
特性
1)
过激 小 模型 类型. (umd2)
2) 低 v
F
3) 高 可靠性
z
构建
硅 外延的 planar
z
外部 维度
(单位 : mm)
z
地带 大小 图示
rohm : umd2
jeita : sc-90/一个
电子元件工业联合会 : s0d-323
点 (年 week 工厂)
0.3±0.05
0.7±0.2
　　　 0.1
0.1±0.1
　　　 0.05
1.7±0.1
2.5±0.2
1.25±0.1
z
结构
z
taping 维度
(单位 : mm)
4.0±0.1
2.0±0.05
φ1.55±0.05
1.40±0.1
4.0±0.1 φ1.05
2.75
3.5±0.05
1.75±0.1
8.0±0.2
0.3±0.1
1.0±0.1
2.8±0.1
z
绝对 最大 比率
(ta=25
°
c)
Symbol 单位
V
RM
V
V
R
V
Io m 一个
I
FSM
毫安
Tj
℃
Tstg
℃
Parameter
z
电的 典型的
(ta=25
°
c)
反转 电压 (直流)
verage 调整的 向前 电流
everse 电压 (repetitive 顶峰)
-40 至 +125
Lim它的
30
30
40
orward 电流 surge 顶峰
（
60Hz
・
1cyc
）
200
unction temperature
torage temperature
125
一个
R
F
J
S
Symbol 最小值 典型值 最大值 单位 情况
V
F
--0.37v
I
F
=1m 一个
I
R
--0.5µa
V
R
=30V
Ct - 2 - pF
V
R
=1v , f=1MHz
电容 betw
反转 电流
Parameter
orward voltagef
een 期inal

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rb751v-40 二极管 rev.b 1/3 肖特基屏障二极管 rb751v-40 z 产品 UMD2 2.1 0.8min. 0.9min. 低电流整流 z 特性 1) 过激小模型类型. (umd2) 2) 低 v F 3) 高可靠性 z 构建硅外延的 planar z 外部维度 (单位 : mm) z 地带大小图示 rohm : umd2 jeita : sc-90/一个电子元件工业联合会 : s0d-323 点 (年 week 工厂) 0.3±0.05 0.7±0.2 　　　 0.1 0.1±0.1 　　　 0.05 1.7±0.1 2.5±0.2 1.25±0.1 z 结构 z taping 维度 (单位 : mm) 4.0±0.1 2.0±0.05 φ1.55±0.05 1.40±0.1 4.0±0.1 φ1.05 2.75 3.5±0.05 1.75±0.1 8.0±0.2 0.3±0.1 1.0±0.1 2.8±0.1 z 绝对最大比率 (ta=25 ° c) Symbol 单位 V RM V V R V Io m 一个 I FSM 毫安 Tj ℃ Tstg ℃ Parameter z 电的典型的 (ta=25 ° c) 反转电压 (直流) verage 调整的向前电流 everse 电压 (repetitive 顶峰) -40 至 +125 Lim它的 30 30 40 orward 电流 surge 顶峰（ 60Hz ・ 1cyc ） 200 unction temperature torage temperature 125 一个 R F J S Symbol 最小值典型值最大值单位情况 V F --0.37v I F =1m 一个 I R --0.5µa V R =30V Ct - 2 - pF V R =1v , f=1MHz 电容 betw 反转电流 Parameter orward voltagef een 期inal

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