3 电压 英特尔
®
StrataFlash
™
记忆
28f128j3a, 28f640j3a, 28f320j3a (x8/x16)
初步数据表
产品 特点
capitalizing 开启 英特尔’s 0.25 µ世代 两个-有点-按-细胞 技术, 第二 世代 英特尔
®
StrataFlash
™
记忆 产品 提供 2x 这 比特 入点 1x 这 空间, 与 新建 特点 用于 主流
业绩. 提供 入点 128-mbit (16-mbyte), 64-mbit, 和 32-mbit densities, 这些 设备 带来
可靠, 两个-有点-按-细胞 存储 技术 至 这 闪光灯 市场 细分市场.
好处 包括: 更多 密度 入点 较少 空间, 高速 接口, 最低 成本-按-有点 也没有 devices,
支持 用于 代码 和 数据 存储, 和 容易 迁移 至 未来 设备.
使用 这 相同 也没有-基于 etox
™
技术 作为 英特尔
’
s 一个-有点-按-细胞 产品, 英特尔 strataflash
记忆
设备 采取 优势 的 结束 一个 billion 单位 的 制造业 经验 自 1987. 作为 一个
结果, 英特尔 strataflash 组件 是 理想 用于 代码 和 数据 应用程序 在哪里 高 密度 和 低
成本 是 必填项. 示例 包括 联网, 电信, 数字 设置 顶部 盒子, 音频
录音, 和 数字 成像.
由 申请 flashfile
™
记忆 家庭 引出线, 英特尔 strataflash 记忆 组件 允许 容易 设计
迁移 从 现有 字宽 flashfile 记忆 (28f160s3 和 28f320s3), 和 第一 世代
英特尔 strataflash 记忆 (28f640j5 和 28f320j5) 设备.
英特尔 strataflash 记忆 组件 交付 一个 新建 世代 的 前进-兼容 软件 支持.
由 使用 这 普通 闪光灯 接口 (cfi) 和 这 可扩展 命令 设置 (scs), 客户 可以 采取
优势 的 密度 升级 和 优化 写 能力 的 未来 英特尔 strataflash 记忆 设备.
已制造 开启 英特尔
®
0.25 微米 etox
™
六 流程 技术, 英特尔 strataflash 记忆 提供
这 最高 级别 的 质量 和 可靠性.
■
高密度 对称-已阻塞
体系结构
—
128 128-kbyte 擦除 块 (128 m)
—
6
4 128-kbyte 擦除 块 (64 m)
—
32 128-kbyte 擦除 块 (32 m)
■
高 业绩 接口 异步
第页 模式 读取
—
110/25 ns 阅读 访问权限 时间 (32 m)
—
120/25 ns 阅读 访问权限 时间 (64 m)
—
150/25 ns 阅读 访问权限 时间 (128 m)
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2.7 v
–
3.6 v v
抄送
操作
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128-有点 保护 注册
—
64-有点 独一无二 设备 标识符
—
64-有点 用户 可编程 otp 细胞
■
增强型 数据 保护 特点
绝对 保护 与 v
钢笔
= 地
—
灵活 块 锁定
—
块 擦除/程序 上锁 期间
电源 过渡
■
包装
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56-铅 tsop 包装
—
64-球 英特尔
®
容易 bga 包装
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十字形-兼容 命令 支持 英特尔
基本 命令 设置
—
普通 闪光灯 接口
—
可扩展 命令 设置
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32-字节 写 缓冲区
—
6 µs 按 字节 有效 编程
时间
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12.8m 合计 最小值 擦除 循环次数 (128 mbit)
6.4m 合计 最小值 擦除 循环次数 (64 mbit)
3.2m 合计 最小值 擦除 循环次数 (32 mbit)
—
100k 最小值 擦除 循环次数 按 块
■
自动化 挂起 选项
—
块 擦除 挂起 至 阅读
—
块 擦除 挂起 至 程序
—
程序 挂起 至 阅读
■
0.25 µ英特尔
®
StrataFlash
™
记忆
技术
订单 号码: 290667-008
april 2001
通知:
这个 文件 包含 初步 信息 开启 新建 产品 入点 生产. 这
规格 是 主题 至 变更 无 通知. 验证 与 你的 本地 英特尔 销售 办公室 那
你 有 这 最新 数据表 之前 最终确定 一个 设计.
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