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资料编号:573602
 
资料名称:RC28F128P30T85
 
文件大小: 1609.91K
   
说明
 
介绍:
Intel StrataFlash Embedded Memory
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
订单 号码: 306666, 修订: 001
april 2005
英特尔 strataflash
®
嵌入式 记忆
(p30)
1-gbit p30 家庭
数据表
产品 特点
这 英特尔 strataflash
®
嵌入式 记忆 (p30) 产品 是 这 最新 世代 的 英特尔
StrataFlash
®
记忆 设备. 提供 入点 64-mbit 向上 通过 1-gbit 密度, 这 p30 设备
带来 可靠, 两个-有点-按-细胞 存储 技术 至 这 嵌入式 闪光灯 市场 细分市场.
设备, 和 支持 用于 代码 和 数据 存储. 特点 包括 高性能 同步-
行业 标准 包装 选择.
这 p30 产品 家庭 是 已制造 使用 英特尔
®
130 nm etox™ viii 流程 技术.
高 业绩
85/88 ns 初始 访问权限
40 mhz 与 零 等待 国家, 20 ns 时钟-至-
数据 输出 同步猝发 阅读 模式
25 ns 异步-第页 阅读 模式
4-, 8-, 16-, 和 连续-字 突发 模式
缓冲 增强型 工厂 编程
(befp) 在 5 µs/字节 (典型值)
1.8 v 缓冲 编程 在 7 µs/字节 (典型值)
体系结构
多层次 细胞 技术: 最高 密度
在 最低 成本
不对称-已阻塞 体系结构
四 32-kbyte 参数 块: 顶部 或
底部 配置
128-kbyte 主 块
电压 和 电源
—V
抄送
(核心) 电压: 1.7 v – 2.0 v
—V
CCQ
(我/o) 电压: 1.7 v – 3.6 v
备用 电流: 55 µ一个 (典型值) 用于 256-mbit
4-字 同步 阅读 电流:
13 ma (典型值) 在 40 mhz
质量 和 可靠性
操作 温度: –40 °c 至 +85 °c
• 1-gbit 入点 scsp 是 –30 °c 至 +85 °c
最小值 100,000 擦除 循环次数 按 块
etox™ viii 流程 技术 (130 nm)
安全
一次性 可编程 寄存器:
• 64 独一无二 工厂 设备 标识符 比特
• 64 用户可编程 otp 比特
• 附加 2048 用户可编程 otp 比特
可选择 otp 空间 入点 主 阵列:
• 4x32kb 参数 块 + 3x128kb 主
块 (顶部 或 底部 配置)
绝对 写 保护: v
pp
= v
ss
电源-过渡 擦除/程序 上锁
个人 零-延迟 块 锁定
个人 块 锁-向下
软件
20 µs (典型值) 程序 挂起
20 µs (典型值) 擦除 挂起
—Intel
®
闪光灯 数据 积分器 优化
基本 命令 设置 和 扩展 命令
设置 兼容
普通 闪光灯 接口 有能力
密度 和 包装
64/128/256-mbit 密度 入点 56-铅 tsop
包装
64/128/256/512-mbit 密度 入点 64-球
英特尔
®
容易 bga 包装
64/128/256/512-mbit 和 1-gbit 密度 入点
英特尔
®
quad+ scsp
16-有点 宽 数据 总线
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