订单 号码: 306666, 修订: 001
april 2005
英特尔 strataflash
®
嵌入式 记忆
(p30)
1-gbit p30 家庭
数据表
产品 特点
这 英特尔 strataflash
®
嵌入式 记忆 (p30) 产品 是 这 最新 世代 的 英特尔
StrataFlash
®
记忆 设备. 提供 入点 64-mbit 向上 通过 1-gbit 密度, 这 p30 设备
带来 可靠, 两个-有点-按-细胞 存储 技术 至 这 嵌入式 闪光灯 市场 细分市场.
好处 包括 更多 密度 入点 较少 空间, 高速 接口, 最低 成本-按-有点 也没有
设备, 和 支持 用于 代码 和 数据 存储. 特点 包括 高性能 同步-
突发 阅读 模式, 快 异步 访问权限 次, 低 电源, 灵活 安全 选项, 和 三个
行业 标准 包装 选择.
这 p30 产品 家庭 是 已制造 使用 英特尔
®
130 nm etox™ viii 流程 技术.
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高 业绩
— 85/88 ns 初始 访问权限
— 40 mhz 与 零 等待 国家, 20 ns 时钟-至-
数据 输出 同步猝发 阅读 模式
— 25 ns 异步-第页 阅读 模式
— 4-, 8-, 16-, 和 连续-字 突发 模式
— 缓冲 增强型 工厂 编程
(befp) 在 5 µs/字节 (典型值)
— 1.8 v 缓冲 编程 在 7 µs/字节 (典型值)
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体系结构
— 多层次 细胞 技术: 最高 密度
在 最低 成本
— 不对称-已阻塞 体系结构
— 四 32-kbyte 参数 块: 顶部 或
底部 配置
— 128-kbyte 主 块
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电压 和 电源
—V
抄送
(核心) 电压: 1.7 v – 2.0 v
—V
CCQ
(我/o) 电压: 1.7 v – 3.6 v
— 备用 电流: 55 µ一个 (典型值) 用于 256-mbit
— 4-字 同步 阅读 电流:
13 ma (典型值) 在 40 mhz
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质量 和 可靠性
— 操作 温度: –40 °c 至 +85 °c
• 1-gbit 入点 scsp 是 –30 °c 至 +85 °c
— 最小值 100,000 擦除 循环次数 按 块
— etox™ viii 流程 技术 (130 nm)
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安全
— 一次性 可编程 寄存器:
• 64 独一无二 工厂 设备 标识符 比特
• 64 用户可编程 otp 比特
• 附加 2048 用户可编程 otp 比特
— 可选择 otp 空间 入点 主 阵列:
• 4x32kb 参数 块 + 3x128kb 主
块 (顶部 或 底部 配置)
— 绝对 写 保护: v
pp
= v
ss
— 电源-过渡 擦除/程序 上锁
— 个人 零-延迟 块 锁定
— 个人 块 锁-向下
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软件
— 20 µs (典型值) 程序 挂起
— 20 µs (典型值) 擦除 挂起
—Intel
®
闪光灯 数据 积分器 优化
— 基本 命令 设置 和 扩展 命令
设置 兼容
— 普通 闪光灯 接口 有能力
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密度 和 包装
— 64/128/256-mbit 密度 入点 56-铅 tsop
包装
— 64/128/256/512-mbit 密度 入点 64-球
英特尔
®
容易 bga 包装
— 64/128/256/512-mbit 和 1-gbit 密度 入点
英特尔
®
quad+ scsp
— 16-有点 宽 数据 总线
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