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RF1001T2D
二极管
rev.b
1/3
快 回收 二极管
RF1001T2D
z
应用程序
z
外部 尺寸
(单位 : mm)
z
结构
概述 整改
rohm : Ｔo220fn
①
制造日期
1.2
1.3
0.8
(1) (2) (3)
10.0±0.3
　　　 0.1
5.0±0.2 8.0±0.2
12.0±0.2
2.8±0.2
　　　 0.1
4.5±0.3
　　　 0.1
0.7±0.1
0.05
2.6±0.5
13.5min
8.0
15.0±0.4
　 0.2
①
z
特点
1)
阴极 普通 类型.
(至-220)
2) 超 低 v
f
3) 很 快 回收
4) 低 开关 损失
z
施工
硅 外延 平面
z
绝对 最大值 额定值
(助教=25
°
c)
symbol 单位
v
右
200
rm
v
v
右
v
io 一个
我
FSM
一个
Tj
℃
tstg
℃
存储 透射电镜温度
平均值 已纠正 前进 电流 (*1)
150
-55 至 +150
前进 电流 浪涌 峰值
（
60Hz
・
1cyc
）
10
接合点 温度
80
(*1) 按 芯片
：
io/2
parameter
反向 电压 (直流)
everse 电压 (重复性 峰值)
lim其
200
z
电气 特性
(助教=25
°
c)
符号 最小值 典型值 最大值 单位 条件
v
f
- 0.87 0.93 v
我
f
=5A
反向 电流
我
右
-0.0110 µA
v
右
=200V
反向 回收 时间
trr
-1530 ns
我
f
=0.5a,我
右
=1a,irr=0.25*i
右
热 阻抗
θ
jc - - 2.5
℃
/w
接合点 至 案例
rward 电压
参数
fo

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RF1001T2D 二极管 rev.b 1/3 快回收二极管 RF1001T2D z 应用程序 z 外部尺寸 (单位 : mm) z 结构概述整改 rohm : Ｔo220fn ① 制造日期 1.2 1.3 0.8 (1) (2) (3) 10.0±0.3 　　　 0.1 5.0±0.2 8.0±0.2 12.0±0.2 2.8±0.2 　　　 0.1 4.5±0.3 　　　 0.1 0.7±0.1 0.05 2.6±0.5 13.5min 8.0 15.0±0.4 　 0.2 ① z 特点 1) 阴极普通类型. (至-220) 2) 超低 v f 3) 很快回收 4) 低开关损失 z 施工硅外延平面 z 绝对最大值额定值 (助教=25 ° c) symbol 单位 v 右 200 rm v v 右 v io 一个我 FSM 一个 Tj ℃ tstg ℃ 存储透射电镜温度平均值已纠正前进电流 (1) 150 -55 至 +150 前进电流浪涌峰值（ 60Hz ・ 1cyc ） 10 接合点温度 80 (1) 按芯片： io/2 parameter 反向电压 (直流) everse 电压 (重复性峰值) lim其 200 z 电气特性 (助教=25 ° c) 符号最小值典型值最大值单位条件 v f - 0.87 0.93 v 我 f =5A 反向电流我右 -0.0110 µA v 右 =200V 反向回收时间 trr -1530 ns 我 f =0.5a,我右 =1a,irr=0.25*i 右热阻抗 θ jc - - 2.5 ℃ /w 接合点至案例 rward 电压参数 fo

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