这 rf 线
. . . 设计 用于 电源 放大器 应用程序 入点 工业, 商业 和
amateur 收音机 设备 至 30 mhz.
•
指定 12.5 电压, 30 mhz 特性 —
输出 电源 = 60 瓦特
最小值 增益 = 13 db
效率 = 55%
匹配 程序
入点 这 push–pull 电路 配置 它 是 首选 那 这 晶体管 是
已使用 作为 匹配 对 至 获取 最佳 业绩.
the?matchingprocedure?使用dby
m/一个-com 由 的 测量 h
fe?
一个t这
数据 工作表 条件 和 颜色 编码 这 设备 至 预定 h
铁
范围
内 这 正常 h
铁
限制. 一个 颜色 圆点 是 已添加 至 这 标记 开启 顶部 的 这 盖.
任何 两个 设备 与 这 相同 颜色 圆点 可以 是 配对 一起 至 窗体 一个
匹配 设置 的 单位.
最大值 额定值
评级 符号 值 单位
collector–emitter 电压 v
CEO
18 Vdc
collector–emitter 电压 v
消费电子展
36 Vdc
emitter–base 电压 v
EBO
4.0 Vdc
收集器 电流 — 连续 我
c
15 adc
合计 设备 耗散 @ t
c
= 25
°
c
降额 以上 25
°
c
p
d
175
1.0
瓦特
w/
°
c
存储 温度 范围 t
stg
–65 至 +150
°
c
热 特性
特性 符号 最大值 单位
热 电阻, 接合点 至 案例 右
θ
jc
1.0
°
c/w
电气 特性
(t
c
= 25
°
c 除非 否则 已注明.)
特性
符号 最小 Typ 最大值 单位
关 特性
collector–emitter 击穿 电压
(我
c
= 100 madc, 我
B
= 0)
v
(br)ceo
18 — — Vdc
collector–emitter 击穿 电压
(我
c
= 50 madc, v
是
= 0)
v
(br)消费电子展
36 — — Vdc
emitter–base 击穿 电压
(我
e?
= 10 madc, 我
c
= 0)
v
(br)ebo
4.0 — — Vdc
开启 特性
直流 电流 增益
(我
c
= 5.0 adc, v
ce
= 5.0 vdc)
h
铁
10 — 150 —
动态 特性
输出 电容
(v
cb
= 12.5 vdc, 我
e?
= 0, f = 1.0 mhz)
c
ob
— — 250 pf
(续)
60 w, 30 mhz
rf 电源
晶体管
npn 硅
案例 211–07, 风格 1
订单 这个 文件
由 mrf
455/d
半导体 technicald一个t一个
1
: 点此下载
