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RF501PS2S
二极管
1/3
快 恢复 二极管
RF501PS2S
z
产品
一般 整流
z
特性
1) 高 电源 模型 类型 (tsop8)
2) 低 v
F
3) 非常 快 恢复
4) 低 切换 丧失
z
构建
硅 外延的 planar
z
外部 维度
(单位 : mm)
z
地带 大小 图示
TSOP8
1.1
1.27 0.75
4.7
6.6
4.56
①
z
结构
z
taping 维度
(单位 : mm)
z
绝对 最大 比率
(ta=25
°
c)
z
电的 典型的
(ta=25
°
c)
标识 单位
V
RM
V
V
R
V
Io 一个
I
FSM
一个
Tj
℃
Tstg
℃
(*1) 挂载 在 环氧的 板. 180°half sine 波
70
150
-55 至 +150
ward 电流 surge 顶峰
（
60Hz
・
1cyc
）
ion 温度
torage temperature
参数
everse 电压 (repetitive 顶峰)
everse 电压 (直流)
verage 调整的 向前 电流 (*1)
限制
200
200
5
为
Junct
S
R
R
一个
rohm : tsop8
①
制造 日期
＋0.1
－0.05
6±0.1
4
(1)
5.0±0.1
5±0.10.5
0.22
＋0.1
－0.05
0～0.1
(2) (3) (4)
(5)(6)(7)
(8)
0.5
0.5
0.15
0.9±0.05
0.
6.7±0.2
4.0±0.1
2.0±0.05
φ1.55±0.1
　　　　　  0
5.5±0.05
1.75±0.1
12.0±0.3
1.2±0.2
φ1.55±0.05
9.5±0.1
0.37±0.1
8.0±0.1
5.55±0.2
1PIN
0～0.5
5.55±0.2
标识 最小值 典型值 最大值 单位
V
F
-0.860.92 V
I
F
=5A
I
R
-0.021 µA
V
R
=200V
trr
-1430 ns
I
F
=0.5a,i
R
=1a,irr=0.25*i
R
情况
反转 电流
电容 在 terminals
参数
向前 电压

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RF501PS2S 二极管 1/3 快恢复二极管 RF501PS2S z 产品一般整流 z 特性 1) 高电源模型类型 (tsop8) 2) 低 v F 3) 非常快恢复 4) 低切换丧失 z 构建硅外延的 planar z 外部维度 (单位 : mm) z 地带大小图示 TSOP8 1.1 1.27 0.75 4.7 6.6 4.56 ① z 结构 z taping 维度 (单位 : mm) z 绝对最大比率 (ta=25 ° c) z 电的典型的 (ta=25 ° c) 标识单位 V RM V V R V Io 一个 I FSM 一个 Tj ℃ Tstg ℃ (1) 挂载在环氧的板. 180°half sine 波 70 150 -55 至 +150 ward 电流 surge 顶峰（ 60Hz ・ 1cyc ） ion 温度 torage temperature 参数 everse 电压 (repetitive 顶峰) everse 电压 (直流) verage 调整的向前电流 (1) 限制 200 200 5 为 Junct S R R 一个 rohm : tsop8 ① 制造日期＋0.1 －0.05 6±0.1 4 (1) 5.0±0.1 5±0.10.5 0.22 ＋0.1 －0.05 0～0.1 (2) (3) (4) (5)(6)(7) (8) 0.5 0.5 0.15 0.9±0.05 0. 6.7±0.2 4.0±0.1 2.0±0.05 φ1.55±0.1 　　　　　 0 5.5±0.05 1.75±0.1 12.0±0.3 1.2±0.2 φ1.55±0.05 9.5±0.1 0.37±0.1 8.0±0.1 5.55±0.2 1PIN 0～0.5 5.55±0.2 标识最小值典型值最大值单位 V F -0.860.92 V I F =5A I R -0.021 µA V R =200V trr -1430 ns I F =0.5a,i R =1a,irr=0.25*i R 情况反转电流电容在 terminals 参数向前电压

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