IRF7807Z_集成电路资料查询网

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6/23/03
IRF7807Z
HEXFET
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电源 场效应晶体管
备注
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通过
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是 开启 第页 10
好处
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很 低 右
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超-低 闸门 阻抗
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完全 表征 雪崩 电压
和 电流
应用程序
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控制 场效应晶体管 用于 笔记本 处理器 电源
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同步 整流器 场效应晶体管 用于
图形 卡片 和 pol 转换器 入点
联网 和 电信
系统
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电源 耗散
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存储 温度 范围
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右
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www.irf.com 1 6/23/03 IRF7807Z HEXFET   电源场效应晶体管备注   通过  是开启第页 10 好处  很低右 ds(开启) 在 4.5v v gs  超-低闸门阻抗  完全表征雪崩电压和电流应用程序  控制场效应晶体管用于笔记本处理器电源  同步整流器场效应晶体管用于图形卡片和 pol 转换器入点联网和电信系统顶部查看 8 1 2 3 4 5 6 7 d d d dg s 一个 s s 一个所以-8  v DSS 右 ds(开启) 最大值 qg(典型值.) 30V 13.8m  @V gs = 10v 7.2nc 绝对最大值额定值参数单位 v ds 漏源电压 v v gs 栅极到源极电压我 d @ t 一个 = 25°c 连续排水管电流, v gs @ 10v 我 d @ t 一个 = 70°c 连续排水管电流, v gs @ 10v 一个我 dm 脉冲排水管电流 c p d @T 一个 = 25°c 电源耗散 f w p d @T 一个 = 70°c 电源耗散 f 线性降额因素 w/°c t j 操作接合点和 °C t stg 存储温度范围热电阻参数典型值最大值单位右 θ JL 接合点-至-排水管铅 ––– 20 °c/w 右 θ ja 交叉点到环境 f ––– 50 -55 至 + 150 2.5 0.02 1.6 最大值 11 8.7 88 ± 20 30

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