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6/8/05
IRFB4233PbF
备注
通过
是 开启 第页 8
描述
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
场效应晶体管
场效应晶体管
场效应晶体管
特点
高级 流程 技术
钥匙 参数 优化 用于 pdp 维持,
能源 回收 和 通过 开关 应用程序
低 e?
脉冲
评级 至 减少 电源 耗散
入点 pdp 维持, 能源 回收 和 通过
开关 应用程序
低 q
g
用于 快 响应
高 重复性 峰值 电流 能力 用于
可靠 操作
短 坠落 &放大器; 上升 次 用于 快 开关
175°c 操作 接合点 温度 用于
改进 坚固耐用
重复性 雪崩 能力 用于 鲁棒性
和 可靠性
s
d
g
至-220ab
绝对 最大值 额定值
参数 单位
v
gs
栅极到源极 电压 v
我
d
@ t
c
= 25°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v
一个
我
d
@ t
c
= 100°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v
我
dm
脉冲 排水管 电流
我
rp
@ t
c
= 100°c
重复性 峰值 电流
p
d
@T
c
= 25°c
电源 耗散 w
p
d
@T
c
= 100°c
电源 耗散
线性 降额 因素 w/°c
t
j
操作 接合点 和 °C
t
stg
存储 温度 范围
焊接 温度 用于 10 秒
安装 扭矩, 6-32 或 m3 螺钉 n
热 电阻
参数
典型值 最大值 单位
右
θ
jc
连接至壳体
––– 0.402
右
θ
cs
案例-至-水槽, 扁平, 润滑 表面 0.50 ––– °c/w
右
θ
ja
交叉点到环境
––– 62
最大值
39
220
56
±30
114
300
-40 至 + 175
10lb
入点 (1.1n
m)
370
190
2.5
v
ds
最小
230 v
v
ds (雪崩)
典型值
276 v
右
ds(开启)
典型值 @ 10v
31
m
我
rp
最大值 @ t
c
= 100°c
114 一个
t
j
最大值
175 °C
钥匙 参数
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