备注
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12/12/01
IRFB38N20D
IRFS38N20D
IRFSL38N20D
smps 场效应晶体管
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
v
DSS
右
ds(开启)
最大值 我
d
200V 0.054
Ω
44A
pd - 94358
d
2
Pak
IRFS38N20D
至-220ab
IRFB38N20D
至-262
IRFSL38N20D
参数 最大值 单位
我
d
@ t
c
= 25
°
c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v 44
我
d
@ t
c
= 100
°
c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v 32 一个
我
dm
脉冲 排水管 电流
180
p
d
@T
一个
= 25
°
c 电源 耗散
3.8 w
p
d
@T
c
= 25
°
c 电源 耗散 320
线性 降额 因素 2.1 w/
°
c
v
gs
栅极到源极电压 ± 30 v
设计验证/dt 峰值 二极管 回收 设计验证/dt
9.5 v/ns
t
j
操作 接合点 和 -55 至 + 175
t
stg
存储 温度 范围
焊接 温度, 用于 10 秒 300 (1.6mm 从 案例 )
°
c
安装 torqe, 6-32 或 m3 螺钉
10 lbf
•
入点 (1.1n
•
m)
绝对 最大值 额定值
高 频率 直流-直流 转换器
好处
应用程序
低 栅极至漏极 费用 至 减少
开关 损失
完全 表征 电容 包括
有效 c
开放源码软件
至 简化 设计, (请参见
应用程序. 备注 an1001)
完全 表征 雪崩 电压
和 电流
热 电阻
参数 典型值 最大值 单位
右
θ
jc
连接至壳体
–––
0.47
右
θ
cs
案例-至-水槽, 扁平, 润滑 表面
0.50
––– °
c/w
右
θ
ja
交叉点到环境
–––
62
右
θ
ja
交叉点到环境
–––
40
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