SB820F–SB8100F1的
3
©200
2
W在-T运算Electronics
sb820f – sb8100f
8.0a 分开 肖特基 屏障 整流器
特性
!
肖特基 屏障 碎片 b
!
守卫 环绕 为 瞬时 保护
!
高 电流 能力, 低 向前 c
!
低 反转 泄漏 电流
!
高 surge 电流 能力 g 一个
!
塑料 材料 有 ul flammability
分类 94v-o
pin1 2
D
机械的 数据
F
E
!
情况: ito-220a 全部 模塑的 塑料
!
terminals: 镀有 leads solderable 每 p
mil-标准-202, 方法 208
!
极性: 看 图解 i
!
重量: 2.24 grams (approx.) l
!
挂载 位置: 任何 h
!
标记: 类型 号码
管脚 1 +
J
管脚 2 -
K
最大 比率 和 电的 特性
@T
一个
=25°c 除非 否则 指定
单独的 阶段, half 波, 60hz, resistive 或者 inductive 加载.
为 电容的 加载, 减额 电流 用 20%.
典型的 标识
SB
820F
SB
830F
SB
840F
SB
850F
SB
860F
SB
880F
SB
8100F
单位
顶峰 repetitive 反转 电压
working 顶峰 反转 电压
直流 blocking 电压
V
RRM
V
RWM
V
R
20 30 40 50 60 80 100 V
rms 反转 电压 V
r(rms)
14 21 28 35 42 56 70 V
平均 调整的 输出 电流 @t
C
= 95°c I
O
8.0 一个
非-repetitive 顶峰 向前 surge 电流 8.3ms
单独的 half sine-波 superimposed 在 评估 加载
(电子元件工业联合会 方法)
I
FSM
150 一个
向前 电压 @i
F
= 8.0a V
FM
0.55 0.75 0.85 V
顶峰 反转 电流 @t
一个
= 25°c
在 评估 直流 blocking 电压 @t
一个
= 100°c
I
RM
0.5
50
毫安
典型 接合面 电容 (便条 1) C
j
700 pF
典型 热的 阻抗 接合面 至 情况 (便条 2) R
JC
6.9 k/w
运行 和 存储 温度 范围 T
j
, t
STG
-65 至 +150 °C
便条: 1. 量过的 在 1.0 mhz 和 应用 反转 电压 的 4.0v d.c.
2. 热的 阻抗 接合面 至 情况 挂载 在 散热器.
WTE
电源 半导体
ito-220a
Dim 最小值 最大值
一个
14.9 15.1
B
— 10.5
C
2.62 2.87
D
3.56 4.06
E
13.46 14.22
F
0.68 0.94
G
3.74 Ø 3.91 Ø
H
5.84 6.86
I
4.44 4.70
J
2.54 2.79
K
0.35 0.64
L
1.14 1.40
P
4.95 5.20
所有 维度 在 mm
: 点此下载
