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资料编号：607549

资料名称：SI1501DL

文件大小： 59.71K

说明：


介绍:
Complementary 20-V (D-S) Low-Threshold MOSFET

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Si1501DL vishay siliconix 文件号码: 71303 s-03840—rev. b, 21-将-01 www.vishay.com  1 互补20-v (d-s) 低-阈值场效应晶体管产品摘要频道 v ds (v) 右 ds(开启) (  ) 我 d (ma) n通道 20 2.0 @ v gs = 4.5 v 250 n通道 20 2.5 @ v gs = 2.5 v 150 p 频道 20 3.8 @ v gs = − 4.5 v − 180 p沟道 − 20 5.0 @ v gs = − 2.5 v − 100 sot-363 sc-70 (6-导联) s 1 1 3 g 1 2 d 2 6 4 5 d 1 g 2 s 2 顶部查看标记代码 re XX 批号可追溯性和日期代码零件 # 代码 YY 绝对最大值额定值 (t 一个 = 25  c 除非否则已注明) 参数符号 n通道 p沟道单位漏源电压 v ds 20 − 20 v 栅极-源极电压 v gs  8  8 v 连续排水管电流 (t j = 150  c) 一个 t 一个 = 25  c 我 d 250 − 180 连续排水管电流 (t j = 150  c) 一个 t 一个 = 70  c 我 d 200 − 140 ma 脉冲排水管电流我 dm 500 − 500 最大值电源耗散一个 t 一个 = 25  c p d 0.20 w最大值电源耗散一个 t 一个 = 70  c p d 0.13 w 操作接合点和存储温度范围 t j , t stg − 55 至 150  c 热电阻额定值参数符号限制单位最大值交叉点到环境一个右 thja 625 (合计)  c/w 备注一个. 表面已安装开启 fr4 板, t  10 秒.

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