特点
TrenchFET
电源 mosfets: 1.8-v 额定
热 增强型 sc-70 包装
快 开关
应用程序
荷载 开关 用于 便携式 设备
Si1563DH
vishay siliconix
新建 产品
文件 号码: 71963
s-21483—rev. 一个, 26-8月-02
www.vishay.com
1
互补20-v (d-s) 低-阈值 场效应晶体管
产品摘要
v
ds
(v) 右
ds(开启)
(
) 我
d
(一个)
0.280 @ v
gs
= 4.5 v 1.28
n通道 20 0.360 @ v
gs
= 2.5 v 1.13
0.450 @ v
gs
= 1.8 v 1.00
0.490 @ v
gs
= -4.5 v -1.00
p沟道 -20
0.750 @ v
gs
= -2.5 v -0.81
1.10 @ v
gs
= -1.8 v -0.67
sot-363
sc-70 (6-导联)
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s
1
g
1
d
2
d
1
g
2
s
2
标记 代码
eb XX
批号 可追溯性
和 日期 代码
零件 # 代码
YY
p沟道
d
1
s
1
g
1
n通道
d
2
s
2
g
2
绝对 最大值 额定值 (t
一个
= 25
c 除非 否则 已注明)
n通道 p沟道
参数 符号
5 秒 稳定 州 5 秒 稳定 州
单位
漏源 电压 v
ds
20 -20
栅极-源极 电压 v
gs
8
8
v
t
一个
= 25
c 1.28 1.13 - 1.00 -0.88
连续 排水管 电流
(t
j
= 150
c)
一个
t
一个
= 85
c
我
d
0.92 0.81 -0.72 -0.63
脉冲 排水管 电流 我
dm
4.0 -3.0
一个
连续 来源 电流 (二极管 传导)
一个
我
s
0.61 0.48 -0.61 -0.48
t
一个
= 25
c 0.74 0.57 0.30 0.57
最大值 电源 耗散
一个
t
一个
= 85
c
p
d
0.38 0.30 0.16 0.3
w
操作 接合点 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
-55 至 150
c
热电阻额定值
参数 符号 典型 最大值 单位
t
5 秒 130 170
最大值 交叉点到环境
一个
稳定 州
右
thja
170 220
c/w
最大值 接合点-至-脚 (排水管) 稳定 州 右
thJF
80 100
c/w
备注
一个. 表面 已安装 开启 1” x 1” fr4 板.
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