Si1555DL
vishay siliconix
文件 号码: 71079
s-21374—rev. c, 12-8月-02
www.vishay.com
1
互补低-阈值 场效应晶体管 对
产品摘要
v
ds
(v) 右
ds(开启)
(
) 我
d
(一个)
0.385 @ v
gs
= 4.5 v
0.70
n通道 20
0.630 @ v
gs
= 2.5 v
0.54
0.600 @ v
gs
= -4.5 v
0.60
p沟道 -8
0.850 @ v
gs
= -2.5 v
0.50
1.200 @ v
gs
= -1.8 v
0.42
sot-363
sc-70 (6-导联)
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s
1
g
1
d
2
d
1
g
2
s
2
标记 代码
RB XX
批号 可追溯性
和 日期 代码
零件 # 代码
YY
绝对 最大值 额定值 (t
一个
= 25
c 除非 否则 已注明)
n通道 p沟道
参数 符号
5 秒 稳定 州 5 秒 稳定 州
单位
漏源 电压 v
ds
20 -8
栅极-源极 电压 v
gs
12
8
v
t
一个
= 25
c
0.70
0.66
0.60
0.57
连续 排水管 电流
(t
j
= 150
c)
一个
t
一个
= 85
c
我
d
0.50
0.48
0.43
0.41
脉冲 排水管 电流 我
dm
1.0
一个
连续 来源 电流 (二极管 传导)
一个
我
s
0.25 0.23 -0.25 -0.23
t
一个
= 25
c 0.30 0.27 0.30 0.27
最大值 电源 耗散
一个
t
一个
= 85
c
p
d
0.16 0.14 0.16 0.14
w
操作 接合点 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
-55 至 150
c
热电阻额定值
参数 符号 典型 最大值 单位
t
5 秒 360 415
最大值 交叉点到环境
一个
稳定 州
右
thja
400 460
c/w
最大值 接合点-至-脚 (排水管) 稳定 州 右
thJF
300 350
c/w
备注
一个. 表面 已安装 开启 1” x 1” fr4 板.
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