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资料编号:607596
 
资料名称:SI1026X
 
文件大小: 39.84K
   
说明
 
介绍:
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
 
 


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Si1026X
vishay siliconix
新建 产品
文件 号码: 71434
s-03518—rev. 一个, 23-apr-01
www.vishay.com
1
n通道 60-v (d-s) 场效应晶体管

v
(br)dss(最小)
(v)
ds(开启)
(
)
v
gs(th)
(v)
d
(ma)
60 1.40 @ v
gs
= 10 v 1 至 2.5 500
  
低 开启-电阻: 1.40
低 阈值: 2 v (典型值)
快 开关 速度: 15 ns (典型值)
低 输入 和 输出 泄漏
微型 包装
低 偏移量 电压
低电压 操作
高速 电路
低 错误 电压
小 板 面积
驱动程序: 继电器, solenoids, 灯, hammers,
显示器, 回忆, 晶体管, 等
蓄电池 操作 系统
固态 继电器
标记 代码: e?
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3
1
d
2
g
2
s
1
52
4
6
d
1
s
2
g
1
sc-89



参数 符号 5 秒 稳定 州 单位
漏源 电压 v
ds
60
栅极-源极 电压 v
gs
20
v
t
一个
= 25
c
320 305
连续 排水管 电流
(t
j
= 150
c)
一个
t
一个
= 85
c
d
230 220
脉冲 排水管 电流
b
dm
–650
ma
连续 来源 电流 (二极管 传导)
一个
s
450 380
t
一个
= 25
c
280 250
最大值 电源 耗散
一个
t
一个
= 85
c
p
d
145 130
mW
操作 接合点 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
–55 至 150
c
栅极-源极 esd 评级 (hbm, 方法 3015) esd 2000 v
备注
一个. 表面 已安装 开启 fr4 板.
b. 脉冲 宽度 有限 由 最大值 接合点 温度.
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