TrenchFET
电源 场效应晶体管
低 阈值
最小 小 脚
包装: 1.6 mm x 1.6 mm
低 0.6-mm 配置文件
细胞 电话 和 寻呼机
– 荷载 开关
蓄电池 操作 系统
Si1037X
vishay siliconix
新建 产品
文件 号码: 70686
s-04766—rev. 一个, 08-oct-01
www.vishay.com
1
p沟道 1.8-v (g-s) 场效应晶体管
v
ds
(v) 右
ds(开启)
(
) 我
d
(一个)
0.195 @ v
gs
= –4.5 v
–0.84
–20
0.260 @ v
gs
= –2.5 v –0.73
0.350 @ v
gs
= –1.8 v –0.64
sc-89 (6-导联)
6
4
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2
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5
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d
d
g
d
d
s
标记 代码
NWL
批号 可追溯性
和 日期 代码
管脚 1
标识符
零件 号码 代码
参数 符号 5 秒 稳定 州 单位
漏源 电压 v
ds
–20
栅极-源极 电压 v
gs
8
v
一个
t
一个
= 25
c
–0.84
–0.77
连续 排水管 电流
(t
j
= 150
c)
一个
t
一个
= 70
c
我
d
–0.68 –0.62
脉冲 排水管 电流 我
dm
–4
一个
连续 二极管 电流 (二极管 传导)
一个
我
s
–0.18 –0.14
t
一个
= 25
c 0.21 0.17
最大值 电源 耗散
一个
t
一个
= 70
c
p
d
0.13 0.10
w
操作 接合点 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
–55 至 150
c
参数 符号 典型 最大值 单位
t
5 秒 500 600
最大值 交叉点到环境
一个
稳定 州
右
thja
600 720
c/w
备注
一个. 表面 已安装 开启 1” x 1” fr4 板 与 最小值 铜.
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