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资料编号:607609
 
资料名称:SI1303EDL
 
文件大小: 74.89K
   
说明
 
介绍:
P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
 
 


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1
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Si1303EDL
vishay siliconix
新建 产品
文件 号码: 71094
s-99400—rev. 一个, 29-十一月-99
www.siliconix.com
faxback 408-970-5600
1
p沟道 2.5-v (g-s) 场效应晶体管
 
v
ds
(v)
ds(开启)
(
)
d
(一个)
20
0.430 @ v
gs
= –4.5 v
0.72
–20
0.480 @ v
gs
0.700 @ v
gs
标记 代码
ld XX
批号 可追溯性
和 日期 代码
零件 # 代码
YY
   

   
参数 符号 5 秒 稳定 州 单位
栅极-源极 电压 v
gs
12
v
连续 排水管 电流
(t
j
= 150
c)
一个
t
一个
= 25
c
d
0.72
0.67
一个
连续 排水管 电流
(t
j
= 150 c)
一个
t
一个
= 70
c
d
0.58
0.54
一个
脉冲 排水管 电流
dm
2.5
一个
连续 二极管 电流 (二极管 传导)
一个
s
–0.28 –0.24
最大值 电源 耗散
一个
t
一个
= 25
c
p
d
0.34 0.29
wmaximum 电源 耗散
一个
t
一个
= 70
c
p
d
0.22 0.19
w
操作 接合点 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
–55 至 150
c
  
参数 符号 典型 最大值 单位
最大值 交叉点到环境
一个
t
稳定 州
thja
360 430
c/w
最大值 接合点-至-脚 (排水管) 稳定 州
thJF
285 340
备注
一个. 表面 已安装 开启 1” x 1” fr4 板.
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