>┊
首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号: 
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:607616
 
资料名称:SI1901DL
 
文件大小: 44.79K
   
说明
 
介绍:
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
 
 


: 点此下载
 
1
浏览型号SI1901DL的Datasheet PDF文件第2页
2
浏览型号SI1901DL的Datasheet PDF文件第3页
3
浏览型号SI1901DL的Datasheet PDF文件第4页
4
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Si1901DL
vishay siliconix
新建 产品
文件 号码: 71304
s-01886—rev. 一个, 28-8月-00
www.vishay.com
1
p沟道 20-v (d-s) 场效应晶体管
 
v
ds
(v)
ds(开启)
(
)
d
(ma)
–20
3.8 @ v
gs
= –4.5 v –180
20
5.0 @ v
gs
= –2.5 v –100
标记 代码
QD XX
批号 可追溯性
零件 # 代码
YY
sot-363
sc-70 (6-导联)
s
1
1
3
g
1
2
d
2
6
4
5
d
1
g
2
s
2
顶部 查看
   

   
参数 符号 限制 单位
漏源 电压 v
ds
–20
v
栅极-源极 电压 v
gs
8
v
连续 排水管 电流
(t
j
= 150
c)
一个
t
一个
= 25
c
d
–180
一个
连续 排水管 电流
(t
j
=150 c)
一个
t
一个
= 70
c
d
–140
ma
脉冲 排水管 电流
dm
–500
最大值 电源 耗散
一个
t
一个
= 25
c
p
d
0.20
w
最大值 电源 耗散
一个
t
一个
= 70
c
p
d
0.13
w
操作 接合点 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
–55 至 150
c
  
参数 符号 限制 单位
最大值 交叉点到环境
一个
thja
625
c/w
备注
一个. 表面 已安装 开启 fr4 板, t
10 秒.
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com