TrenchFET
电源 mosfets: 1.8-v 额定
esd 保护: 2000 v
热 增强型 sc-70 包装
荷载 开关
pa 开关
水平 开关
Si1912EDH
vishay siliconix
新建 产品
文件 号码: 71408
s-03176—rev. 一个, 05-3月-01
www.vishay.com
1
双 n通道 20-v (d-s) 场效应晶体管
v
ds
(v) 右
ds(开启)
(
) 我
d
(一个)
0.280 @ v
gs
= 4.5 v
1.28
20
0.360 @ v
gs
= 2.5 v 1.13
0.450 @ v
gs
= 1.8 v 1.0
标记 代码
ca XX
批号 可追溯性
和 日期 代码
零件 # 代码
YY
d
s
g
1 k
sot-363
sc-70 (6-导联)
6
4
1
2
3
5
顶部 查看
s
1
g
1
d
2
d
1
g
2
s
2
d
s
g
1 k
参数 符号 5 秒 稳定 州 单位
漏源 电压 v
ds
20
栅极-源极 电压 v
gs
12
v
一个
t
一个
= 25
c
1.28
1.13
连续 排水管 电流
(t
j
= 150
c)
一个
t
一个
= 85
c
我
d
0.92 0.81
脉冲 排水管 电流 我
dm
4
一个
连续 二极管 电流 (二极管 传导)
一个
我
s
0.61 0.48
t
一个
= 25
c 0.74 0.57
最大值 电源 耗散
一个
t
一个
= 85
c
p
d
0.38 0.30
w
操作 接合点 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
–55 至 150
c
参数 符号 典型 最大值 单位
t
5 秒 130 170
最大值 交叉点到环境
一个
稳定 州
右
thja
170 220
c/w
最大值 接合点-至-脚 (排水管) 稳定 州 右
thJF
80 100
c/w
备注
一个. 表面 已安装 开启 1” x 1” fr4 板.
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