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资料编号:607620
 
资料名称:SI1905DL
 
文件大小: 57.28K
   
说明
 
介绍:
Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Si1905DL
vishay siliconix
新建 产品
文件 号码: 71082
s-99188—rev. 一个, 01-十一月-99
www.vishay.com
faxback 408-970-5600
2-1
双 p沟道 1.8-v (g-s) 场效应晶体管
 
v
ds
(v)
ds(开启)
(
)
d
(一个)
8
0.600 @ v
gs
= –4.5 v
0.60
–8
0.850 @ v
gs
1.200 @ v
gs
标记 代码
QB XX
批号 可追溯性
和 日期 代码
零件 # 代码
YY
sot-363
sc-70 (6-导联)
6
4
1
2
3
5
顶部 查看
s
1
g
1
d
2
d
1
g
2
s
2
   

   
参数 符号 5 秒 稳定 州 单位
栅极-源极 电压 v
gs
8
v
连续 排水管 电流
(t
j
= 150
c)
一个
t
一个
= 25
c
d
0.60
0.57
一个
连续 排水管 电流
(t
j
= 150 c)
一个
t
一个
= 85
c
d
0.43
0.41
一个
脉冲 排水管 电流
dm
1.0
一个
连续 二极管 电流 (二极管 传导)
一个
s
–0.25 –0.23
最大值 电源 耗散
一个
t
一个
= 25
c
p
d
0.30 0.27
wmaximum 电源 耗散
一个
t
一个
= 85
c
p
d
0.16 0.14
w
操作 接合点 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
–55 至 150
c
  
参数 符号 典型 最大值 单位
最大值 交叉点到环境
一个
t
稳定 州
thja
400 460
c/w
最大值 接合点-至-脚 (排水管) 稳定 州
thJF
300 350
备注
一个. 表面 已安装 开启 1” x 1” fr4 板.
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