Si1023X
vishay siliconix
新建 产品
文件 号码: 71169
s-03104—rev. 一个, 08-二月-01
www.vishay.com
1
双 p沟道 20-v (d-s) 场效应晶体管
v
ds
(v)
右
ds(开启)
(
)
我
d
(ma)
1.2 @ v
gs
= –4.5 v
–350
–20
1.6 @ v
gs
= –2.5 v –300
2.7 @ v
gs
= –1.8 v –150
很 小 占地面积
高侧 开关
低 开启-电阻: 1.2
低 阈值: 0.8 v (典型值)
快 swtiching 速度: 14 ns
1.8-v 操作
栅极-源极 esd 保护
轻松 入点 驾驶 开关
低 偏移量 (错误) 电压
低电压 操作
高速 电路
低 蓄电池 电压 操作
驱动程序: 继电器, solenoids, 灯,
hammers, 显示器, 回忆
蓄电池 操作 系统
电源 供应 变频器 电路
荷载/电源 开关 细胞 电话, 寻呼机
标记 代码: b
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3
1
d
2
g
2
s
1
52
4
6
d
1
s
2
g
1
sot-563
sc-89
参数 符号 5 秒 稳定 州 单位
漏源 电压 v
ds
–20
栅极-源极 电压 v
gs
6
v
t
一个
= 25
c
–390 –370
连续 排水管 电流
(t
j
= 150
c)
一个
t
一个
= 85
c
我
d
–280 –265
脉冲 排水管 电流
b
我
dm
–650
ma
连续 来源 电流 (二极管 传导)
一个
我
s
–450 –380
t
一个
= 25
c
280 250
最大值 电源 耗散
一个
t
一个
= 85
c
p
d
145 130
mW
操作 接合点 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
–55 至 150
c
栅极-源极 esd 评级 (hbm, 方法 3015) esd 2000 v
备注
一个. 表面 已安装 开启 fr4 板.
b. 脉冲 宽度 有限 由 最大值 接合点 温度.
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