TrenchFET
电源 场效应晶体管
1.8 至 8-v 输入
1.5 至 8-v 逻辑 水平 控制
最小 小 脚
包装: 1.6 mm x 1.6 mm
2000-v esd 保护 开启 输入 开关, v
开关
可调 回转率
Si1040X
vishay siliconix
新建 产品
文件 号码: 71809
s-20008—rev. 一个, 04-3月-02
www.vishay.com
1
荷载 开关 与 水平移位
v
DS2
(v) 右
ds(开启)
(
) 我
d
(一个)
0.625 @ v
入点
= 4.5 v
0.43
1.8 至 8
0.890 @ v
入点
= 2.5 v
0.36
1.25 @ v
入点
= 1.8 v
0.3
标记 代码
OWL
批号 可追溯性
和 日期 代码
管脚 1
标识符
零件 号码 代码
这 si1040x 包括 一个 p- 和 n通道 场效应晶体管 入点 一个 单独
sc89-6 包装. 这 低 导通电阻 p沟道
trenchfet 是量身定制 用于 使用 作为 一个 荷载 开关. 这 n-频道,
与 一个 外部 电阻, 可以 是 已使用 作为 一个 水平移位 至 驱动器
这 p沟道 荷载-开关. 这 n通道 场效应晶体管 有
内部 esd 保护 和 可以 是 驱动 由 逻辑 信号 作为
低 作为 1.5-v. 这 si1040x 操作 开启 供应 线条 从 1.8
至 8 v, 和 可以 驱动器 荷载 向上 至 0.43 一个.
开关 变化
r2 @ v
入点
= 2.5 v, r1 = 20 k
0
4
8
12
16
20
0246810
r2 (k
)
我
l
= 0.36 一个
v
开关
= 3 v
c
我
= 10
f
c
o
= 1
f
t
右
t
d(开启)
t
d(关)
t
f
(时间
s)
备注: 用于 r2 开关 变化 与 其他 v
入点
/r1
组合 请参见 典型 特性
v
出点
地
荷载
v
入点
开关
R2
R2
1
2, 3
C1
6
4
6
5
R1
Q1
Q2
Si1040X
c
o
c
我
R1 上拉 电阻 典型 10 k
至 1 m
*
R2 可选 回转率 控制 典型 0 至 100 k
*
C1 可选 回转率 控制 典型 1000 pf
*minimum r1 值 应该 是 在 最小 10 x r2 至 确保 q1 转弯-开启.
这 si1040x 是 理想情况下 适合 用于 高侧 荷载 开关 入点
便携式 应用程序. 这 综合 n通道 水平移位
设备 保存 空间 由 减少 外部 组件. 这
回转 费率 是 设置 外部 所以 那 上升-次 可以 是 量身定制 至
不同的 荷载 类型.
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