si1012r/x
vishay siliconix
新建 产品
文件 号码: 71166
s-02464—rev. 一个, 25-oct-00
www.vishay.com
1
n通道 1.8-v (g-s) 场效应晶体管
v
ds
(v)
右
ds(开启)
(
)
我
d
(ma)
0.70 @ v
gs
= 4.5 v
600
20
0.85 @ v
gs
= 2.5 v 500
1.25 @ v
gs
= 1.8 v 350
高侧 开关
低 开启-电阻: 0.7
低 阈值: 0.8 v (典型值)
快 swtiching 速度: 10 ns
1.8-v 操作
栅极-源极 esd 保护
轻松 入点 驾驶 开关
低 偏移量 (错误) 电压
低电压 操作
高速 电路
低 蓄电池 电压 操作
驱动程序: 继电器, solenoids, 灯,
hammers, 显示器, 回忆
蓄电池 操作 系统
电源 供应 变频器 电路
荷载/电源 开关 细胞 电话, 寻呼机
订购 信息:
sc-75a (sot– 416):
si1012r–marking 代码 : c
sc-89 (sot– 490):
si1012x–marking 代码: 一个
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2
1
s
d
g
3
sc-75a 或 sc-89
参数 符号 5 秒 稳定 州 单位
漏源 电压 v
ds
20
栅极-源极 电压 v
gs
6
v
b
t
一个
= 25
c
600
500
连续 排水管 电流
(t
j
= 150
c)
b
t
一个
= 85
c
我
d
400 350
脉冲 排水管 电流
一个
我
dm
1000
ma
连续 来源 电流 (二极管 传导)
b
我
s
275 250
t
一个
= 25
c
175 150
最大值 电源 耗散
b
用于 sc-75
t
一个
= 85
c
90 80
t
一个
= 25
c
p
d
275 250
mW
最大值 电源 耗散
b
用于 sc-89
t
一个
= 85
c
160 140
操作 接合点 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
–55 至 150
c
栅极-源极 esd 评级 (hbm, 方法 3015) esd 2000
v
备注
一个. 脉冲 宽度 有限 由 最大值 接合点 温度.
b. 表面 已安装 开启 fr4 板.
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