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资料编号:607633
 
资料名称:SI1032X-T1
 
文件大小: 53.62K
   
说明
 
介绍:
N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
 
 


: 点此下载
 
1
浏览型号SI1032X-T1的Datasheet PDF文件第2页
2
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
1.5-v 额定
si1032r/x
vishay siliconix
文件 号码: 71172
s-40574—rev. c, 29-3月-04
www.vishay.com
1
n通道 20-v (d-s) 场效应晶体管
产品摘要
v
ds
(v)
ds(开启)
(
)
d
(ma)
5 @ v
gs
= 4.5 v
200
20
7 @ v
gs
= 2.5 v 175
20
9 @ v
gs
= 1.8 v 150
10 @ v
gs
= 1.5 v 50
特点 好处 应用程序
低侧 开关
低 开启-电阻: 5
低 阈值: 0.9 v (典型值)
快 开关 速度: 35 ns
1.8-v 操作
栅极-源极 esd 保护
轻松 入点 驾驶 开关
低 偏移量(错误) v
低电压 操作
高速 电路
低 蓄电池 电压 操作
驱动程序: 继电器, solenoids, 灯,
hammers, 显示器, 回忆
蓄电池 操作 系统
电源 供应 变频器 电路
荷载/电源 开关 细胞 电话, 寻呼机
订购信息:
sc-75a (sot-416): si1032r-t1—e3 (铅 free)
sc-89 (sot-490): si1032x-t1
sc-89 (sot-490): si1032x-t1—e3 (铅 free)
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2
1
s
d
g
3
标记 代码: g
sc-75a 或 sc-89
绝对 最大值 额定值 (t
一个
= 25
c 除非 否则 已注明)
Si1032R
Si1032X
参数 符号
5 秒 稳定 州
5 秒 稳定 州
单位
漏源 电压 v
ds
20
v
栅极-源极 电压 v
gs
6
v
连续 排水管 电流
(t
j
=150
c)
一个
t
一个
= 25
c
d
200
140 210 200
c连续不断 dra入点current
(t
j
=150
c)
一个
t
一个
= 85
c
d
110 100 150 140
ma
脉冲 排水管 电流
一个
dm
500 600
ma
连续 来源 电流 (二极管 传导)
一个
s
250 200 300 240
最大值 电源 耗散
一个
用于 sc 75
t
一个
= 25
c
p
d
280 250 340 300
mW最大值 电源 耗散
一个
用于 sc-75
t
一个
= 85
c
p
d
145 130 170 150
mW
操作 接合点 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
55 至 150
c
栅极-源极 esd 评级 (hbm, 方法 3015) esd 2000 v
备注
c. 表面 已安装 开启 fr4 板.
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