特点
TrenchFET
电源 mosfets: 1.8-v 额定
热 增强型 sc-70 包装
应用程序
荷载 开关
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- 服务器
Si1433DH
vishay siliconix
新建 产品
文件号码: 72323
s-31668—rev. 一个, 11-8月-03
www.vishay.com
1
p沟道 30-v (d-s) 场效应晶体管
产品摘要
v
ds
(v) 右
ds(开启)
(
) 我
d
(一个)
-30
0.150 @ v
gs
=-10 v
-2.2
-30
0.260 @ v
gs
=-4.5 v -1.6
sot-363
sc-70 (6-导联)
6
4
1
2
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5
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d
d
g
d
d
s
标记 代码
是 XX
批号 可追溯性
和 日期 代码
零件 # 代码
YY
订购 信息: si1433dh-t1
绝对 最大值 额定值 (t
一个
= 25
c 除非 否则 已注明)
参数 符号 5 秒 稳定 州 单位
漏源 电压 v
ds
-30
v
栅极-源极 电压 v
gs
20
v
连续 排水管 电流
(t
j
=150
c)
一个
t
一个
= 25
c
我
d
-2.2
-1.9
c连续不断 dra入点current
(t
j
=150
c)
一个
t
一个
= 85
c
我
d
-1.7 -1.4
一个
脉冲 排水管 电流 我
dm
-8
一个
连续 二极管 电流 (二极管 传导)
一个
我
s
-1.4 -0.9
最大值 电源 耗散
一个
t
一个
= 25
c
p
d
1.45 0.95
w最大值 电源 耗散
一个
t
一个
= 85
c
p
d
0.75 0.5
w
操作 接合点 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
- 55 至 150
c
热电阻额定值
参数 符号 典型 最大值 单位
mi j ti tAbit
一个
t
5 秒
右
65 85
最大值 交叉点到环境
一个
稳定 州
右
thja
105 130
c/w
最大值 接合点-至-脚 (排水管) 稳定 州 右
thJF
38 48
c/w
备注
一个. 表面 已安装 开启 1” x 1” fr4 板.
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