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资料编号:607644
 
资料名称:SI1021R
 
文件大小: 54.55K
   
说明
 
介绍:
P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
 
 


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1
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Si1021R
vishay siliconix
新建 产品
文件 号码: 71410
s-21120—rev. c, 01-jul-02
www.vishay.com
1
p沟道 60-v (d-s) 场效应晶体管
产品 摘要
v
(br)dss(最小)
(v)
ds(开启)
(
)
v
gs(th)
(v)
d
(ma)
–60 4 @ v
gs
= –10 v –1 至 –3.0 –190
特点 好处 应用程序
高侧 开关
低 阈值: –2 v (典型值)
快 开关 速度: 20 ns (典型值)
低 输入 电容: 20 pf (典型值)
微型 包装
栅极-源极 esd 保护
轻松 入点 驾驶 开关
低 偏移量 电压
低电压 操作
高速 电路
很容易 驱动 无 缓冲区
小 板 面积
驱动程序: 继电器, solenoids, 灯, hammers,
显示器, 回忆, 晶体管, 等
蓄电池 操作 系统
电源 供应 变频器 电路
固态 继电器
标记 代码: f
sc-75a
(sot-416)
顶部 查看
2
1
s
d
g
3
绝对 最大值 额定值 (t
一个
= 25
c 除非 否则 已注明)
参数 符号 限制 单位
漏源 电压 v
ds
–60
栅极-源极 电压 v
gs
20
v
t
一个
= 25
c
–190
连续 排水管 电流
(t
j
= 150
c)
一个
t
一个
= 85
c
d
–135
ma
脉冲 排水管 电流
b
dm
–650
t
一个
= 25
c
250
电源 耗散
一个
t
一个
= 85
c
p
d
130
mW
最大值 交叉点到环境
一个
thja
500
c/w
操作 接合点 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
–55 至 150
c
备注
一个. 表面 已安装 开启 fr4 板.
b. 脉冲 宽度 有限 由 最大值 接合点 温度.
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