Si2307DS
vishay siliconix
文档 号码: 70843
s-60570—rev. 一个, 16-十一月-98
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2-1
p-频道 30-v (d-s) 场效应晶体管
V
DS
(v) r
ds(在)
(
) I
D
(一个)
–30
0.080 @ v
GS
= –10 v –3
–30
0.140 @ v
GS
= –4.5 v –2
G
至-236
(sot-23)
S
D
顶 视图
2
3
1
si2307ds (a7)*
*marking 代号
参数 标识 限制 单位
流-源 电压 V
DS
–30
V
门-源 电压 V
GS
20
V
持续的 流 电流
(t
J
=150
c)
一个,
b
T
一个
= 25
C
I
D
–3
一个
持续的 流 电流
(t
J
=150
c)
一个,
b
T
一个
= 70
C
I
D
–2.5
一个
搏动 流 电流 I
DM
–12
一个
持续的 源 电流 (二极管 传导)
一个,
b
I
S
–1.25
电源 消耗
一个,
b
T
一个
= 25
C
P
D
1.25
wpower 消耗
一个,
b
T
一个
= 70
C
P
D
0.8
W
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
–55 至 150
C
参数 标识 典型 最大 单位
最大 接合面-至-包围的
一个
t
5 秒
R
thJA
100
c/wmaximum 接合面-至-包围的
一个
稳步的 状态
R
thJA
130
c/w
注释
一个. 表面 挂载 在 fr4 板.
b. t
5 秒.
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