特性
TrenchFET
电源 场效应晶体管
产品
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Si2319DS
vishay siliconix
文档号码: 72315
s-40844—rev. b, 03-将-04
www.vishay.com
1
p-频道 40-v (d-s) 场效应晶体管
产品SUMMARY
V
DS
(v) r
ds(在)
(
) I
D
(一个)
b
40
0.082 @ v
GS
=
−
10 v
−
3.0
−
40
0.130 @ v
GS
=
−
4.5 v
−
2.4
G
至-236
(sot-23)
S
D
顶 视图
2
3
1
*marking 代号
si2319ds (c9)*
订货 信息: si2319ds-t1
si2319ds-t1—e3 (含铅的 自由)
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25
c 除非 否则 指出)
参数 标识 5 秒 稳步的 状态 单位
流-源 电压 V
DS
−
40
V
门-源 电压 V
GS
20
V
持续的 流 电流
(t
J
= 150
c)
b
T
一个
= 25
C
I
D
−
3.0
−
2.3
持续的 流 电流
(t
J
= 150
c)
b
T
一个
= 70
C
I
D
−
2.4
−
1.85
一个
搏动 流 电流
一个
I
DM
−
12
一个
持续的 源 电流 (二极管 传导)
b
I
S
−
1.0
−
0.62
电源 消耗
b
T
一个
= 25
C
P
D
1.25 0.75
W电源 消耗
b
T
一个
= 70
C
P
D
0.8 0.48
W
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
−
55 至 150
C
热的阻抗比率
参数 标识 典型 最大 单位
最大接合面-至-包围的
b
R
75 100
最大 接合面-至-包围的
c
R
thJA
120 166
c/w
最大 接合面-至-foot (流) R
thJF
40 50
注释
一个. 脉冲波 宽度 限制 用 最大 接合面 温度.
b. 表面 挂载 在 fr4 板, t
5 秒.
c. 表面 挂载 在 fr4 板.
为 额外的刺激 模型 信息 通过 这 worldwide 网:http://www.vishay.com/www/产品/额外的刺激.htm
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