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资料编号:607686
 
资料名称:Si2302ADS-T1
 
文件大小: 56.69K
   
说明
 
介绍:
N-Channel 1.25-W, 2.5-V MOSFET
 
 


: 点此下载
 
1
浏览型号Si2302ADS-T1的Datasheet PDF文件第2页
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Si2302ADS
vishay Siliconix
文件 号码: 71831
s-41772—rev. d, 20-9月-04
www.vishay.com
1
n通道 1.25-w, 2.5-v 场效应晶体管
产品 摘要
v
ds
(v)
ds(开启)
(
)
d
(一个)
20
0.060 @ v
gs
=4.5 v 2.4
20
0.115 @ v
gs
=2.5 v 2.0
g
s
d
p e?w
2
3
至-236
(sot-23)
1
Si2302DS (2a)*
*Marking 代码
订购 信息: si2302ads-t1
绝对 最大值 额定值 (t
一个
=25
_
c 除非 否则 已注明)
参数 符号 5 稳定 单位
漏源 电压 v
ds
20
v
栅极-源极 电压 v
gs
8
v
连续 排水管 电流 (t 150
_
c)
一个
t
一个
=25
_
c
2.4 2.1
连续 排水管 电流 (t
j
= 150
_
c)
一个
t
一个
=70
_
c
d
1.9 1.7
一个
脉冲 排水管 电流
一个
dm
10
一个
连续 来源 电流 (二极管 传导)
一个
s
0.94 0.6
电源 耗散
一个
t
一个
=25
_
c
p
0.9 0.7
w电源 耗散
一个
t
一个
=70
_
c
p
d
0.57 0.46
w
操作 接合点 存储 温度 范围 t
j
,t
stg
--55 150
_
c
电阻 额定值
参数 符号 典型 最大值 单位
最大值 接合点 环境
一个
t
±
5sec.
115 140
_
c/w最大值 交叉点到环境
一个
稳定
thja
140 175
_
c/w
备注
一个. 表面 已安装 开启 FR4 板.
用于 额外的刺激 型号 信息 通过 全球 web: http://www.vishay.com/www/产品/额外的刺激.htm
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